磁控溅射镀膜原理及工艺设计.docx

?可 ?可修编- ?可 ?可修编- ?可修编? ?可修编? 囲极~2000 V覆射原子电ft空系统 囲极~2000 V 覆射原子 电 ft空系统 然入口 磧控溅射镀膜原理15工艺 摘要：真空鍍股技术作方一州产生特定般层的枝札在现实生产生活中有着广泛的 应用。真5il?IR技术有三种形式，即蒸发赏腴、J8射赏K!和岗子Ko fi里主要》1—下由編射揽 眼技术发展来的磁控被射鍍股的原理及相应工艺的研究。 关键祠：M81；慎射变量；工作气压；沉枳率。 绪论 灘射脱象于1870年开始用于8?腴技术，1930年II、后由于建高了沉枳速率iftilS ffl于I业 生产。常用二极薄射设备如右图。 通常将fit沉枳的材料刮Mi版村一鄒，相定在囲 极上。基片置于正Mffiis的ph极上，節和一定曲 崗。系绞抽至高真空后充人（10~1 ）翰的气体（通 常力氧气），在明板和印机间加几千伏电压，再极 间即产生辞光放电。放电产生的正崗子在电饷作 用下飞向明极，与靶表而爆子曲攪，受曲撞从靶 面逸出的靶帽子称万慎射原子，其能量在1至几十 电子伏围。被射爆子在基片表面沉Rhtillfto其中 成控龍射可以被认万是擔腴枝术中虽突出的Mi就 之一。它以裁射率高、基片ifl升仮、般-基結合力 好、装置11能快定、操作filinfi等优点，版方 M.1业应用絹成（特别是建筑拥膑玻增、透明导 电般城甥、柔11基材卷绕擔等对大面枳的均匀11 有特别苛另要求的连续鍍般埼合）的首选方案。 1儀控溅射原理 蔵射涸于PDV （物理气相沉根）三仲基本月法：真空蒸发、戲射、离子货（空心阴极离子 赏、热阴极岗子赏、电再岗子95、活ft反应岗子贾、射顧码子携、直流放电离子赏）中的一忡。 的工作原理是指电子在电IKtflft ffl下，在飞向基片il程中与氧原子发生磁攪， 使其电离产生出Ar正岗子和新的电子；新电子飞向基片，Ar正离子在电饷作用卜Ml速飞向岡根 和，并以高能量貴击轮表面，使絶林发生關射。在薄射粒子中，中性的跑原子或分子沉机在基 片上玳成薄膜，血产生的二次电子会受到电埼和峨埼作用，产生E（电埼）xB（懺吊）所指的 方向浸移，简称ExB漂移，其运用机iliiltt于一条摆线。若为耳怕或场，则电子就riilidlB!线 形式在和表面做間同运刈，它Ifltflga路笹不仅根长，血冃笹束缚在靠）5 ?!表面的等离子体区 成，并且在该区域中电离岀大星的Ar正离子来轰击轮材，从而实现了高的沉职速率。litttS次数的5,二次电子的能量消第甜尽,逐渐远 离觐表面，并在电饷E的作用下虽终沉枳在基片 上。由于该电子的能量ffitt,传連由基片的能i 很小，就使基片iSflfiftto破控涵射是人射粒子 布和的俩抽讨程。人射粒子在祀中经历貝杂的散 射11程，和和原子亜撞，挹都分动童传命?Elft子, 此和原子又和其他和擬子曲攪，形版级KilSo V(0)在这种级Bfil程中某些表面附近的和帽子亜搏向外运动的足耶刈童，周开絶祓慎射出来。 V(0) 1.1破控濺射种类 成控慎射包牯很多种类。各有不同I作博理和应用N象。但有一共同点：利用炬饷与电饷 交互作用，使电子在《!表面附近戒螺建状远行，从而増大电子撞击氣气产生离子的柢率。所产 生的离子在电询作用下撞向那面从血粧射出勰村。 1.1.1技术分类 成控慎射在技术上可11分万直流（DC） Ifi控灘射、中颇（MF） ?i控為射、射顺（RF）也 控黴射。 DC MF RF 电源价格 便宜 -18 昂貴 平面电/旋转电 试验室一般用圓平面兄 求 导体 无限制 无IK? lftW?中毒能力 弱 S 应用 金属 金属/化合精 工业上不采用此法 可 好 较好 牧好 三种分类的主要井比如下表 2隴控遊射工艺研究 2.11H变量 2.1.1电压和助率 在气体可以电崗的压强围如果改变施加的电压，电路中等离子体的阻抗会阻之改变，弓I起 气it叩的电滝发生变化。改变气ttftfi电流可H产生更多或更少的离子，这些肉子 nJttfiMMM速率。一殷来说：提高电压可H推高离化率。这样电流会増加，所以会弓I紀H1杭 的下降。卷高电压01,阻抗的降他会大幅质地提高电流，即大幅度擾高了的率。如果气HBS 不变，测射源下的基片的移访速IS也是恒定的，那么沉机到基片上的材料的星圜决定于施till在 电率。在VONARDENNE赏腴产品中所采用的围，功率的提高与覆射速率的提高是一种 线性的关系。 2.1.2气体环境 真空系筑和工艺气It系筑共同SKS气体耳境。首先，真空泵屑室it袖到一个高真空（大 纣力10%。“）。然后，由izmt系统（包枯压强和流量控#调节器）充人工艺气佑，将气広 压强降低到大约2x10」torr。为了働保得到18当质量的同一膜层，工艺气績使用境度方 99.99