半导体禁带宽度值Eg计算方法.docx

半导体禁带宽度值Eg计算方法 半导体禁带宽度值Eg计算方法 半导体禁带宽度值Eg计算方法 光催化剂禁带宽度值 Eg 计算方法 方法 1：利用紫外可见漫反射丈量中的吸光度与波长数据作图，利用截线法做出汲取波长阈值 λg(nm) ， 利用公式 Eg=1240/ λg (eV) 计算禁带宽度。 方法 2：利用 (Ah ν)2 h ν 对 做图，利用直线局部外推至横坐标交点， 即为禁带宽度值。 也可利用 (Ah ) 对 hν做图， 利用直线局部外推至横坐标交点， 即为禁带宽度值。 前者为间接半导体禁带宽度值， 后者为直 接半导体禁带宽度值。 A (Absorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光吸度光度。 方法 3：利用 (αhν)2 对 hν做图，利用直线局部外推至横坐标交点， 即为禁带宽度值。 也可利用 (αhν) 对 hν做图，利用直线局部外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为 直接半导体禁带宽度值。 α(Absorption Coefficient ) 即为紫外可见漫反射中的汲取吸系收数系数。 α与 A 成正比。 方法 4：利用 [F(R ∞)h ν]2 对 hν做图，利用直线局部外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用 [F(R ∞)hν] 对 hν做图，利用直线局部外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度 值，后者为直接半导体禁带宽度值。 F(R ∞) 即为 Kubelka-Munk 函数，简写为 K-M 函数， F(R∞) = (1- R∞) 2 / 2R∞ R ∞ 即为相对漫反射率， ，简称漫反射率， R∞ = R∞(样品) / R∞ (参比 ) R‘∞ 即为 绝对漫反射率，，常用参比样品为 BaSO 4，其绝对漫反射率 R ‘∞约等于 1。 漫反射吸光度 A 与漫反射率 R∞ 之间关系为：： A=log(1/ R∞ )