三极管NPN和PNP开关电路.docVIP

三极管NPN和PNP开关电路 一、三极管开关属于电流控制开关，lb控制Ic，与MOSFE管电压控制相反： NPN和PNP的电流方向、电压极性相反。 1) NPN :以B-E电流控制C-E电流。 正常放大时， 即VC VB VE 2) PNP :以E-B电流控制E-C电流。 正常放大时， 即VE VB VC 总之，VB在中间，VC和VE在两边。而且BJT各极的电压与电流方向是一致 的，不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。 NPN和PNP区别：箭头所指，即电流流向。如图： C tk P B n h P E NPN:若有一个小电流流入基极, 那么集电极和发射极就会通。 PNP :若有一个小电流流出基极, 那么集电极和发射极就会通。*因为PNP的反向电流所以使用I/O 口直接控制时，因注意I/O 口的最大承受电压, 最好E极电压等于I/O 口的高电平。对于E电压比较大的情况下可以使用文章最 后的电源控制电路。 条件―「十 隠嬷；:惡緞隠戦藝題蜜緇毬磁觀遞範 mm沉皿巻住海 — ■ ■ 1 ■ m 1 ■ h ■ I 1 ■ 1 1 ■ n o i ***** ™ B, n * i ■ a ■ — , +12V ”占It® 2kQ * ■ ■ ；.• ..*• .•:•:.*• ,*«,s：• .*• j —3黑0—/券仝雰 =———mA = 1 mA 23 : ■•：•：• 2 2.3 kQ Uj P = 100 迟-2V f t 7 厝 T • • ■ 7 J •: : J: . •:二 伽匸 密弓鑿二¥警］—尤⑷： 煦旷 R・0 —Rj 00x2 ”:• *.• •: = _ ::::H：(•:；-”•二(•:二H：:H•:...：• ::二 ；：•:.二：：:U：:二..二: 囱海血》乐所攻If軀和 • ■ r • • ■ I • • a r • • i _r i • • ” r i • 7 ■ • »° i ■ i • • a 丿• i i t i • ■ t r • V i i • i ■ i r • t ■ i mum ° 心m 心］:;心・：y w. y.z m J.y. ,, 3.rf： «•. *. tf； iX ■*. y. «•. t*. £ i ita A=0.06 mA ® ft.Ma1 r.1 I1 * ■ a fl ■ P a f . n t ■ ■ n I . u t*. J.・.r” J. J. J” J. t. t*. ,■ r» J. J ,1 、NPN PNP三极管开关形式的典型接法。如图所示： 只有一个上拉下拉电阻的区别。如果是 GND~VC的信号驱动，左图即可。如 果是强弱电流驱动，选右图  NPN适合做低端驱动，PNP适合做咼端驱动。类似的 NMO和PMO也是如此。 因此，为了获得相应的控制电位差，把 npn的射级对地，你比较容易获得一个开 启信号。如果你把npn的集电极直接接vcc,那么你就需要VCC甚至VCC以上的信 号才能开启，驱动起来不方便，更重要的是，随着负载上电压的变化，你的 lb 不稳定。因此一般来说，低端关在低端高端管在高端。有没有特殊情况呢？是有 的，比如npn在高端加自举电路维持一个稳定的ib。暂不讨论。 说明：大多数的小信号硅质三极管在饱和时， VCE饱和）值约为0.2V，纵使 是专为开关应用而设计的交换三极管，其 VCE饱和）值顶多也只能低到0.1V左 右，而且负载电流一高，VCE饱和）值还会有些许的上升现象，虽然对大多数的 分析计算而言，VCE饱和）值可以不予考虑，但是，必须明白 VCE饱和）值并 非真的是0。 +12V o  J Q43 ■A 2N3904白 SOT-23 圏3中QM5就放在电源端r E为固定12V,R需控制B极来导適三极管.n捕刃裝的住号贴片的型号an Ft VCEO lc hfe 甩对/号 9011 IT NPN 150MHz 18V 100mA 20-80 9012 2T PNP 150MHz 50v 625nA 30-90 9013 9013 J3 NPN 150MHz 40V 500mA 120-350 9014 J6 NPN 150MHz 18V 100mA 60-400 9015 9015 M6 PNP 150MHz 15v 100mA 60-600 9016 Y6 NPN 500MHz 20V 25mA 28-97 9018 J8 NPN 700MHZ 12V 100mA 28-72 S8050 J3Y NPN 150MHz 25V 1.5A 30-100 S8550 S8550 2TY PNP 200MHz 40V 1.5A 40-140 8050 Y1 NPN 100MH