半导体器件型号命名方法.docVIP

第 页 PAGE \* Arabic 1 2.2.1 2.2.1常用开关器件及分类 (2)型号命名法(国产器件) 拼音 符号 额定电流 Z K 1% 峰值电压 P—普通、K—快速、S—双向、N—逆导、 Q—汽车、B—雪崩、L—光触发…. 例:ZK1000-8 表示额定平均正向电流1000A，反向阻断电压800V KS200-12 表示额定电流（有效值）200A，断态阻断电压1200V 注意：电流—平均值（KS除外） 电压—峰值 — 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6～1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0～1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg＜0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。 半导体器件型号命名方法 发表于：2009年12月23日 一、中国半导体器件组成部分的符号及意义? 表1?中国半导体器件组成部分的符号及意义 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示器件电极数目 用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 用汉语拼音字母表示器件的类型 用数字表示器件的序号 汉语拼音字母表示规格号 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 ? ? 2 \o 二极管专题栏目 二极管 A N型锗材料 P 普通管 D 低频大功率管 ? ? B P型锗材料 V 微波管 A 高频大功率管 ? ? C N型硅材料 W 稳压管 T 半导体闸流管 ? ? D P型硅材料 C 参量管 X 低频小功率管 ? ? ? ? Z 整流管 G 高频小功率管 ? ? 3 \o 三极管资料专栏 三极管 A PNP型锗材料 L 整流堆 J 阶跃恢复管 ? ? B NPN型锗材料 S 隧道管 CS 场效应管 ? ? C PNP型硅材料 N 阻尼管 BT 特殊器件 ? ? D NPN型硅材料 U 光电器件 FH 复合管 ? ? E 化合物材料 K 开关管 PIN PIN管 ? ? ? ? B 雪崩管 JG 激光器件 ? ? ? ? Y 体效应管 ? ? ? ? 备注 低频小功率管指截止频率3MHZ、耗散功率1W，高频小功率管指截止频率≥3MHZ、耗散功率1W，低频大功率管指截止频率3MHZ、耗散功率≥1W，高频大功率管指截止频率≥3MHZ、耗散功率≥1W。 例如锗PNP高频小功率管为3AG11C。 ３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号） 二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法 表2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示用途的类别 用数字表示PN结的数目 美国电子半导体协会（EIA）注册标志 美国电子半导体协会（EIA）登记顺序号 用音字母表示器件分档 符号 意义 符号 意义