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绝缘栅场效应晶体管 按其早期器件的纵向结构又被称为 “金属 -氧化物-半导体场效应晶体管”，简称为 MOSFET ， 但现在这种器件的栅电极实际不一定是金属，绝缘栅也不一定是氧化物，但仍被习惯地称为 MOSFET 。;P 型衬底; 5.1.2 MOSFET 的工作原理; 转移特性曲线：VDS 恒定时的 VGS ~ ID 曲线。MOSFET 的转移特性反映了栅源电压 VGS 对漏极电流 ID 的控制能力。; P 沟道 MOSFET 的特性与 N 沟道 MOSFET 相对称，即： (1) 衬底为 N 型，源漏区为 P+ 型。 (2) VGS 、VDS 的极性以及 ID 的方向??与 N 沟相反。 (3) 沟道中的可动载流子为空穴。 (4) VT 0 时称为增强型（常关型），VT 0 时称为耗尽型（常开型）。 ; ① 线性区 当 VDS 很小时，沟道就象一个阻值与 VDS 无关的 固定电阻，这时 ID 与 VDS 成线性关系，如图中的 OA 段所示。 ; ② 过渡区 随着 VDS 增大，漏附近的沟道变薄，沟道电阻增大，曲线逐渐下弯。当 VDS 增大到 VD