电力电子技术第一章.pptxVIP

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  • 2021-09-02 发布于北京
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1.1 电力电子器件概述 1.2 不可控器件——电力二极管 1.3 半控型器件——普通晶闸管 1.4 全控型电力电子器件 1.5 电力电子器件的驱动 1.6 电力电子器件的保护;1.1 电力电子器件概述;1.1.1 电力电子器件的概念和特征;能处理电功率的能力,一般远大于处理信息的电子器件。 电力电子器件一般都工作在开关状态。 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制 电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件,一般都要安装散热器。;;1.1.2 电力电子器件组成的应用系统;1.1.2 电力电子器件组成的应用系统;电力电子系统:由控制电路、驱动电路、保护电路 和以 电力电子器件为核心的主电路组成。;1.1.3 电力电子器件的分类;按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的信号的性质,我们又可以将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型两类: 电流驱动型 ----通过从控制端注入或者抽出电流来实现导 通或者 关断的控制。 电压驱动型 ----仅通过在控制端和公共端之间施加一定的 电压信号就可实现导通或者关断的控制。;1.2 不可控器件—电力二极管;1.2.1 电力二极管的工作原理; PN结的状态;1.2.1 电力二极管的工作原理; 电力二极管与信息电子电路中的 普通二极管 的区别 ;1.2.2 电力二极管的基本特性与参数;1.2.2 电力二极管的基本特性与参数; 关断过程 须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力,进入截止状态。 关断之前有较大的反向电流出现,并伴随有明显的反向电压过冲。;电力二极管的应用范围很广,我们主要常见的有以下几种类型。 ①普通二极管 普通二极管又称为整流二极管(Rectifier Diode)常用于开关频率在1KHz以下的整流电路中,其反向恢复时间在5μs以上,额定电流可达数千安培,额定电压达数千伏以上。;1.2.2 电力二极管的基本特性与参数;三、电力二极管的主要参数 ; 3、反向重复峰值电压URRM 指器件能重复施加的反向最高峰值电压(额定电压)。此电压通常为击穿电压的2/3。使用中通常按照电路中电力二极管可能承受的反向峰值电压的两倍来选定此项参数。;1.3 半控型器件-晶闸管 ;1.3 半控型器件-晶闸管;1.3 半控型器件-晶闸管;1.3.1 晶闸管的结构及工作原理;1.3.1 晶闸管的结构及工作原理;1.3.1 晶闸管的结构及工作原理;1.3.1 晶闸管的结构及工作原理;1.3.1 晶闸管的结构及工作原理;1.3.1 晶闸管的结构及工作原理;1.3.2 晶闸管的基本特性与主要参数;1.3.2 晶闸管的基本特性与主要参数;1.3.2 晶闸管的基本特性与主要参数;1.3.2 晶闸管的基本特性与主要参数;1.3.2 晶闸管的基本特性与主要参数;1.3.2 晶闸管的基本特性与主要参数;1.3.2 晶闸管的基本特性与主要参数;1.3.2 晶闸管的基本特性与主要参数;1.3.2 晶闸管的基本特性与主要参数;1.3.2 晶闸管的基本特性与主要参数;1.3.2 晶闸管的基本特性与主要参数;1.3.2 晶闸管的基本特性与主要参数;1.4 全控型电力电子器件;1.4 全控型电力电子器件;1.4 全控型电力电子器件;1.4.1 门极可关断晶闸管(GTO);1.4.1 门极可关断晶闸管(GTO);1.4.1 门极可关断晶闸管(GTO);1.4.1 门极可关断晶闸管(GTO);1.4.1 门极可关断晶闸管(GTO);1.4.1 门极可关断晶闸管(GTO);1.4.1 门极可关断晶闸管(GTO);1.4.2 电力晶体管(GTR);1.4.2 电力晶体管(GTR);1.4.2 电力晶体管(GTR);1.4.2 电力晶体管(GTR);1.4.2 电力晶体管(GTR);1.4.2 电力晶体管(GTR);1.4.2 电力晶体管(GTR);1.4.2 电力晶体管(GTR);1.4.2 电力晶体管(GTR);1.4.2 电力晶体管(GTR);1.4.2 电力晶体管(GTR); 1.4.3 绝缘栅双极型晶体管(IGBT); 1.4.3 绝缘栅双极型晶体管(IGBT); 1.4.3 绝缘栅双极型晶体管(IGBT); 1.4.3 绝缘栅双极型晶体管(IGBT); 1.4.3 绝缘栅双极型晶体管(IGBT); 1.4.4 其他新型电力电子器件 ; 1.4.4 其他新型电力电子器件 ; 1.4.4 其他新型电力电子器件 ;1.5 电力电子器件的驱动;

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