晶体硅电池可工业化技术前瞻一.docx

晶体硅电池可工业化技术前瞻一 近来传统晶体硅太阳能电池的技术开发水平大幅度提升，出现如STP的PLUTO电池，英利的PANDA电池，CSUN的SE电池，JA利用硅墨形成SE等已工业化技术。这些技术各有其优劣。这里不做详细评论，下面将探讨除上述电池结构外可工业化的电池结构或技术（资料来源于网络及文献）。 　　根据各国太阳能电池开发实验室及部分企业的研究成果，有如下几种技术具有潜在的发展： 　　1.德国ISE的LFC（laser fired contact）PERC cells，该电池制作利用Nd：YAG激光烧蚀沉积在氧化硅或者氮化硅上面的薄膜铝金属，实现低串联电阻的欧姆接触。由于背面电池采用了点接触的结构，金属复合大幅度减少，背面电池的钝化性能大幅度增加。该技术解决了传统电池背面复合高的缺陷。利用这种技术在P型衬底上，该机构获得了21.6%的转换效率。 　　下图一显示了其典型的电池结构及不同基底材料LFC电池典型的I-V参数。 图一：ISE典型的LFC电池结构 表一：不同基底材料LFC电池的典型 　　特点：结合激光技术，金属成膜技术，衬底要求低，易推广，可实现高效电池的批量制作I-V参数。 　　2.背接触电池，该电池工艺利用光刻或精密丝网印刷技术，结合分区扩散工艺，实现电池背面PN结的形成。该电池背面金属电极呈手指形状，也有人称其为IBC电池，焊接位置位于边缘的6个接触点上。但是，由于该技术需要使用电镀工艺（Ni+Cu+Ag/Sn），该工艺技术的实现需要很强的技术势力。目前通过工艺的不断优化，在2010年SUNPOWER获得24.2%的最高工业化电池转换效率，刷新了工业化电池的效率记录。 　　下图二显示了其典型的电池结构： 图二：典型的背接触电池结构 表二：Sunpower电池某一天产线典型的效率分布图 （实心柱状图）及对应A300的效率分布（空心柱状图） 　　特点：电池高效，唯一已工艺化的背接触电池，外观美观，尤其是组件外观，零衰减。原材料的特殊需求（高寿命的N型硅片），成本（复杂的工艺）。 　　3.SANYO的HIT电池，该电池工艺同样采用在N型硅片衬底上利用异质结技术实现高效电池的制作。该电池采用非晶硅钝化发射结和薄发射结的技术，实现高VOC电池的制作（747mV的Voc：2010年西班牙PVSEC上展示的最新成果），近来获得了22.8%的电池光转换效率。由于采用了非晶硅钝化技术和薄发射结技术，其技术对设备的要求苛刻。该公司目前已经在不同国家转让其技术和设备，据说设备成本非常昂贵。 　　下图三，四分别显示了其典型的电池结构及AIST2009年的测试结果。 图三：典型的HIT电池结构 图四：2009年7月日本AIST测试的最高HIT电池I-V参数 　　特点：电池高效，唯一工业化的利用非晶硅钝化的异质结电池；可做双面电池结构，做BIPV应用的话，组件外观漂亮，电池零衰减。由于非晶硅特点，需要研究其长期稳定性。实际的薄膜工艺控制是难点。 　　4.正面结N型电池（Fraunhofer ISE）： 　　该电池工艺采用新的表面钝化技术（Al2O3）在N型硅片衬底上实现高效电池的制作。该电池采用Al2O3钝化发射结技术，实现23.9%效率电池的制作。由于采用了Al2O3钝化技术，该技术的导入引起业内Al2O3钝化技术的井喷式发展（工艺研究和设备制作）。现在研究有成型的设备，如RR，BENQ等。 　　下图五显示了其典型的电池结构： 图五：典型的正面结N型电池结构 表三：2010年正面结N型电池的最高效率电池的I-V参数 　　特点：高效，比背接触电池具有低的技术要求及可能的成本优势，不足之处是正电极要进行金属蒸镀。如果利用丝网印刷技术的话，其技术应用前景广阔。 　　5.EWT/MWT技术，该电池结构设计源于Sunpower的背接触电池，利用激光技术将硅进行钻孔（laser drilling）处理，然后进行腐蚀去损伤层处理。由于在工艺工程中需要采用分区扩散的掩膜技术，注定其工艺成本较高。利用这种技术，在P型多晶硅衬底上，已获得了18.8%的转换效率。下图六显示了其典型的电池结构。 图六：典型的EWT/MWT电池结构 　　特点1：目前最高效的多晶体电池制作工艺，结合电池封装工艺，可以实现非常小的power loss。难点要关注起激光的选择，激光打孔工艺的优化及金属浆料的选择。 　　此外，由日本三菱公司开发的多晶硅电池在2010年也获得了19.1%的多晶最高效率。但是由于其使用RIE技术，激光打孔技术，其成本昂贵。 　　下图七仅简单显示其电池结构。 图七：日本三菱公司开发的高效多晶电池结构 晶体硅电池可工业化技术前瞻二 随着2008年中电光伏的SE电池的成功量产，打开了高效实验室产品工业化的闸门。SE工艺作为实现高效电池制作的必要工艺之一，越来