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会计学;2;3;4;5;6;硅和锗的原子结构和共价键结构 ;8;本征激发产生电子空穴对;10;11;12;13;14;15;16; N型半导体的共价键结构 ;18;19; P型半导体共价键结构 ;21;22;23;24;25;26;27;小结;29;; PN结外加正向电压 ;; PN结外加反向电压 ; PN结加正向电压时，正向扩散电流 远大于漂移电流，PN结导通；PN结 加反向电压时，仅有很小的反向饱 和电流IS,考虑到IS?0，则PN结截止。 PN结正向导通、反向截止的特性称 PN结的单向导电特性。 外电压可改变结宽。 ;35;36;37;势垒电容CT;扩散电容CD;小结 PN结正向运用时 CT、CD同时存在，CD起主要作用 PN结反向运用时，只有CT 。 PN结存在电容效应将限制器件工作频率 利用PN结反向运用时的CT 可制作变容二极管;41;42;半导体二极管图片;45;46;47;48;49;50;51;52;53;54;55;56;57;58;59;60;61;62;63;64;65;66;67;68;69; 常见的三极管外形;71;72;73;74;75;76;77;78;79;80;81;82;83;84;85;86;87;88;89;90;91;92;93;94;95;96;97;98;99;100;101;102;103;104;105;106;107;108;109;110;根据栅极绝缘材料分为: 金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET或MOS) 金属-氮化硅-半导体场效应管(MNSFET或MNS) 金属-氧化铝-半导体场效应管(MALSFET) 根据是否存在原始导电沟道分为:增强型和耗尽型 根据导电沟道类型分为: N沟道和P沟道 ;112;113;114;115;116;117;118;119;120;121;122;123;124;125; N沟道耗尽型MOS管的结构与符号 ;转移特性曲线;128;129;130;131;132;133;134;135;136;137;138;139;140;141;142;143;根据栅极绝缘材料分为: 金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET或MOS) 金属-氮化硅-半导体场效应管(MNSFET或MNS) 金属-氧化铝-半导体场效应管(MALSFET) 根据是否存在原始导电沟道分为:增强型和耗尽型 根据导电沟道类型分为: N沟道和P沟道