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电容版图设计会计学 本章主要内容布线寄生电容电容类型及其容值变化CH7电容寄生效应各种电容比较电容匹配布局 布线电容布线电容由两部分组成：1.平板电容2.杂散电容 布线电容 布线电容 每层互连线都与上一层金属和下一层金属垂直可以减小重叠电容，但是这样会增加布线的复杂度。 布线电容杂散电容变化率0.8um工艺的寄生电容 布线电容0.8um工艺的寄生电容 布线电容 布线电容串扰互连线直接的寄生电容Cm和互感Lm-在高密度布线时是一个令人困扰的难题。-有时会造成传输信号错误。 布线电容串扰 布线电容材料相对介电常数介电强度（MV/cm）硅11.830二氧化硅干氧氧化3.911等离子体4.93~6TEOS4.010氮化硅LPCVD6~710等离子体6~95 布线电容 电容版的有效面积由上极板和下极板的交叠区域决定。由于极板尺寸远大于介质厚度，所以对于薄膜电容通常可以忽略边缘效应。 本章主要内容布线寄生电容电容类型及其容值变化CH7电容寄生效应各种电容比较电容匹配布局 电容类型MOS电容（NMOS） 电容类型MOS电容（PMOS） 电容类型PIP电容 电容类型MIM电容MIP电容 电容类型Sandwich电容 电容类型结电容 电容的变化工艺偏差 MOS电容中，电介质是单晶硅上的一层二氧化硅薄膜，薄膜厚度很小，现代CMOS工艺中栅氧化层的偏差一般在20%以内。 在多晶或金属电极上淀积或生长的电