SI基高效电池工艺路线汇总.ppt

高效晶硅电池技术发展现状 ——减少电学损失的技术方向 高效晶硅电池技术发展现状 ——减少电学损失的技术方向（改善晶体结构之准单晶技术） 高效晶硅电池技术发展现状 ——减少电学损失的技术方向（改善晶体结构之高效多晶技术） 晶体硅中的杂质形式 缺陷密度与碳含量的关系 不同类型的晶体缺陷 缺陷密度对Voc的影响 高效晶硅电池技术发展现状 ——减少电学损失的技术方向（改善晶体结构之高效多晶技术） 限制多晶硅效率的主要原因之一是多晶硅的晶体缺陷，如位错、晶界、杂质等。通过深入研究多晶缺陷发现，多晶电池的低效率主要是由多晶晶粒的位错造成。 通过对铸锭炉的热场进行特殊设计，通过成核技术的提高来抑制位错随生长方向的增值，可使位错、层错，晶界等晶体缺陷获得更精确的控制，从而获得多晶效率的提升。ReneSola的Virtus系列硅片,GCL的S系列硅片，LDK的M系列硅片等 位错示意 图中黑色暗点是由大量位错蚀坑导致的， 蚀坑越多说明位错密度越大 制绒后位错示意 左图为普通多晶，右图为高效多晶 EL位错示意 左图为普通多晶Eta=17.00% 右图为高效多晶Eta=17.73% 高效晶硅电池技术发展现状 ——减少电学损失的技术方向（理想P-N结获得之离子注入技术） 离子注入是指电离的带掺杂原子或分子加速到一定的能量，注入到晶体中，然后经过RTA退火使杂质激活，达到掺杂的目的。 目前，美国Varian已经和国内的正泰、中电等公司签署了合作协议，共同开发离子注入及相关工艺，据称可以使现有的单晶硅太阳电池效率提高约1%。 * * * * * * * * * * * For A Better World Environment Future Si基高效电池工艺路线汇总 前 言 高效晶硅电池技术发展现状 其他高效电池技术介绍 太阳能电池未来发展趋势 内容简介 1839年法国Becquerel报道光照在插入电解质的电极系统中产生光伏效应； 1954年贝尔实验室的三位专家研制成功效率为 6％的第一块单晶硅太阳电池。 纽约时报当时把这一突破性的成果称为“最终导致使无限阳光为人类文明服务的一个新时代的开始。” ——划时代的里程碑； 1958年硅电池首次在空间应用；1960年代电池效率大幅度提高，得到普遍应用。 1970年代初开始在地面应用，1970年代末地面用电池的量已大大超过空间电池； 1998年德国实施十万天棚计划。 2004年德国实施光伏法案，导致了太阳能光伏产业和光伏应用的迅猛发展。 1959年我国第一个实用太阳电池诞生； 1971年太阳电池首次应用于我国第二颗人造卫星—实践1号上； 1980年代我国引进国外关键设备或成套生产线，太阳电池产业初步形成。 2004年后我国大规模引进国外成套生产线，2007年成为光伏生产强国。 前 言 太阳能光伏发展简史 前 言 太阳能电池分类 当前晶硅太阳能电池的生产和使用占据主流市场地位，且在未来15~20年将仍然以晶体硅太阳能电池为主 太阳能光伏发电是利用太阳电池的光伏效应原理直接把太阳辐射能转变为电能的发电方式。典型的太阳电池是一个p-n结半导体二极管。 p型半导体及n型半导体 p-n结和内建电场的形成 电子／空穴对的产生－光生载流子 光伏效应－光生电压 电流收集和储存转换 前 言 太阳能电池工作原理 前 言 太阳能电池的效率（理论和实验室效率） 肖克利的太阳电池效率的理论计算 晶体管之父 William Bradford Shockley 或许没有想到，他关于半导体的工作不仅引发了一次产业革命，在数十年后又为另外一个庞大行业提供了研究的基础。1961年，他与 Queisser 通过理论计算发现，效率极限与材料的带隙有关，具有最高理论转换效率的材料是GaAs，其极限效率接近32%，而Si的极限效率要低一些。 虽然Shockley预言了半导体太阳电池的极限效率，但是他的结果仅适用了单个p-n结的器件，随着 技术日益完善，采用新材料、具有复杂结构的新型光伏器件的制备技术已经出现 。对于多个p-n结结构的多结叠层电池和采用纳米技术制备的新材料和新结构的电池而言，它们不受 Shockley 极限的限制，以至可获得超过40%甚至50%的效率。 William Bradford Shockley (February 13, 1910 – August 12, 1989