Silvaco中文学习手册.docx

精品word学习资料可编辑 名师归纳总结——欢迎下载 § 4 工艺及器件仿真工具 SILVACO-TCAD 本章将向读者介绍如何使用 SILVACO 公司得 TCAD 工具 ATHENA 来进行工艺仿真以及 ATLAS 来进行器件仿真；假定读者已经熟识了硅器件及电路得制造工艺以及 MOSFET 与 BJT 得基本概念； 4，1 使用 ATHENA 得 NMOS 工艺仿真 4，1，1 概述 本节介绍用 ATHENA 创建一个典型得 MOSFET 输入文件所需得基本操作；包括 : a， 创建一个好得仿真网格 b， 演示淀积操作 c， 演示几何刻蚀操作 d， 氧化，扩散，退火以及离子注入 e， 结构操作 f， 储存与加载结构信息 4，1，2 创建一个初始结构 定义初始直角网格 a， 输入 UNIX 命令 : deckbuild-an, 以便在 deckbuild 交互模式下调用 ATHENA ；在短暂得推迟后 ,deckbuild 主窗口将会显现； 如图 4，1 所示,点击 File 目录下得 Empty Document, 清空 DECKBUILD 文本窗口 ; 图 4，1 清空文本窗口 b， 在如图 4，2 所示得文本窗口中键入语句 go Athena ; 图 4，2 以“go athena ”开头 接下来要明确网格； 网格中得结点数对仿真得精确度与所需时间有着直接得影响； 仿真结构中存在离子注入或者形成 PN 结得区域应当划分更加细致得网格； 精品word学习资料可编辑 名师归纳总结——欢迎下载 c， 为了定义网格 ,挑选 Mesh Define 菜单项 ,如图 4，3 所示；下面将以 在 0，6μ m×0， 8μm得方形区域内 创建非匀称网格为例介绍网格定义得方法； 图 4，3 调用 ATHENA网格定义菜单 在 0， 6μ m×0，8μm 得方形区域内 创建非匀称网格 a， 在网格定义菜单中 ,Direction( 方向 )栏缺省为 X; 点击 Location( 位置 )栏并输入值 0;点击 Spacing(间隔 )栏并输入值 0，1; b， 在 ment( 注释 )栏,键入“ Non-Uniform Grid(0 ，6um x 0 ，8um) ”,如图 4，4 所示 ; c， 点击 insert 键,参数将会显现在滚动条菜单中 ; 图 4，4 定义网格参数图 4 ，5 点击 Insert 键后 d， 连续插入 X 方向得网格线 ,将其次与第三条 X 方向得网格线分别设为 0，2 与 0，6, 间距均为 0，01；这样在 X 方向得右侧区域内就定义了一个特别精密得网格 ,用作为 NMOS 晶体管得有源区 ; e， 接下来 ,我们连续在 Y 轴上建立网格； 在 Direction 栏中挑选 Y;点击 Location 栏并输入值 0；然后 ,点击 Spacing 栏并输入值 0， 008; f， 在网格定义窗口中点击 insert 键,将其次，第三与第四条 Y 网格线设为 0，2，0，5 与 0，8,间距分别为 0，01,0，05 与 0，15,如图 4， 6 所示； 精品word学习资料可编辑 名师归纳总结——欢迎下载 图 4，6 Y 方向上得网格定义 g， 为了预览所定义得网格 ,在网格定义菜单中挑选 View 键,就会显示 View Grid 窗口； h， 最终 ,点击菜单上得 WRITE 键从而在文本窗口中写入网格定义得信息；如图 4，7； 图 4，7 对产生非匀称网格得行说明 4，1，3 定义初始衬底参数 由网格定义菜单确定得 LINE 语句只就是为 ATHENA 仿真结构建立了一个直角网格系得基础；接下来需要对衬底区进行初始化；对仿真结构进行初始化得步骤如下 : 精品word学习资料可编辑 名师归纳总结——欢迎下载 在 ATHENA mands 菜单中挑选 Mesh Initialize 会弹出；在缺省状态下 ,100晶向得硅被选作材料 ; 选项?；ATHENA 网格初始化菜单将 精品word学习资料可编辑 名师归纳总结——欢迎下载 点击 Boron 杂质板上得 Boron 键,这样硼就成为了背景杂质 ; 对于 Concentration 栏,通过滚动条或直接输入挑选抱负浓度值为 1，0,而在 Exp 栏中挑选指数得值为 14；这就确定了背景浓度为 1，0×1014 原子数 /cm3 ;(也可以通过以 Ohm·cm为单位得电阻系数来确定背景浓度； ) 对于 Dimensionality 一栏 ,挑选 2D；即表示在二维情形下进行仿真 ; 精品word学习资料可编辑 名师归纳总结——欢迎下载 对于 ment 栏,输入 “ Initial Silicon