半导体制造工艺之扩散原理概述.pptxVIP

上节课主要内容预淀积＋退火。预淀积：气固相预淀积扩散或离子注入。Rs：表面为正方形的半导体薄层（结深），在平行电流方向所呈现的电阻，单位为 ?/?，反映扩散入硅内部的净杂质总量。固溶度：在平衡条件下，杂质能溶解在硅中而不发生反应形成分凝相的最大浓度。1、掺杂工艺一般分为哪两步？结深？薄层电阻？固溶度？2、两种特殊条件下的费克第二定律的解及其特点？特征扩散长度？表面浓度恒定，余误差函数分布(erfc)。随时间变化：杂质总量增加，扩散深度增加杂质总量恒定，高斯函数/正态分布(Gaussian)。随时间变化：表面浓度下降，结深增加费克定律解析解的应用本征扩散时，理想边界条件下的解。实际情况需要修正，如：高浓度电场效应杂质分凝点缺陷…如何判断对费克定律应用何种解析解？当表面浓度为固溶度时，意味着该分布是余误差分布当表面浓度较低时，意味着该分布是经过长时间的推进过程，是高斯分布。例题：CMOS中的p阱的形成。要求表面浓度Cs=4x1017 cm-3，结深xj=3 mm。已知衬底浓度为CB=1×1015 cm3。设计该工艺过程。离子注入＋退火解：1）假设离子注入+推进退火假定推进退火获得的结深，则根据该数值为推进扩散的“热预算”。2）推进退火的时间假定在1100 ?C进行推进退火，则扩散系数D=1.5×10-13 cm2/s?3）所需离子注入的杂质剂量可以推算出该剂量可以很方便地用离子注入实现