《半导体技术导论》见面课答案.docxVIP

Word文档下载后（可任意编辑） 第 PAGE 1 第 PAGE 1 页 共 NUMPAGES 1 页 智慧树知到《半导体技术导论》见面课答案 智慧树知到《半导体技术导论》见面课答案  见面课：半导体器件制程工艺 1、问题:MBE只能用于III-V族化合物的生长。选项：A:对B:错答案: 【错】2、问题:提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。选项：A:对B:错答案: 【对】3、问题:在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是： 〔 〕选项：A:腐蚀B:离子注入C:光刻D:CVD答案: 【光刻】4、问题:光刻技术中的反刻工艺，通常应用于〔 〕的状况。选项：A:对光刻精度较高B:光刻图案密度较高C:光刻的材料易于腐蚀D:光刻的材料难以腐蚀答案: 【光刻的材料难以腐蚀】见面课：半导体器件及材料表征技术1、问题:通常利用TEM观测的辨别率高于SEM。选项：A:对B:错答案: 【对】2、问题:TEM观测与SEM相同，对样品厚度没有要求。选项：A:对B:错答案: 【错】3、问题:AFM通常用来观测样品外表形貌。选项：A:对B:错答案: 【对】4、问题:XPS只能检测元素种类，无法标定元素含量。选项：A:对B:错答案: 【错】见面课：半导体器件基本结构1、问题:异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体互相接触而形成的选项：A:对B:错答案: 【对】2、问题:光电探测器的灵敏度主要取决于其禁带宽度大小选项：A:对B:错答案: 【错】3、问题:MOS管是一种电流型半导体器件，BJT是一种电压型半导体器件选项：A:对B:错答案: 【错】4、问题:所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体选项：A:对B:错答案: 【错】5、问题:平衡态下在pn结中p区和n区的费米能级是相等的选项：A:对B:错答案: 【对】6、问题:一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的__到达了14nm量级选项：A:栅极长度B:漏极宽度C:栅极宽度D:以上都不是答案: 【栅极宽度】7、问题:当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时，其_的pn结上的电压方向是反向偏置的选项：A:集电极到发射极B:集电极到基极C:基极到发射极D:以上都不是答案: 【集电极到基极】8、问题:MOSFET开关的基本工作原理是通过_极电压来掌握 _ 极和 __极之间的导电沟道的通断选项：A:栅、源、漏B:漏、源、栅C:源、漏、栅D:以上都不是答案: 【栅、源、漏】9、问题:金属和n型半导体接触，假如fmfs，会形成 肖特基 接触；其中 接触具有整流效应。选项：A:肖特基、欧姆、欧姆B:欧姆、肖特基、肖特基C:欧姆、肖特基、欧姆D:肖特基、欧姆、肖特基答案: 【欧姆、肖特基、肖特基】见面课：半导体物理基本概念1、问题:AlAs的禁带宽度比GaAs大，晶格常数也更大。保存选项：A:对B:错答案: 【错】2、问题:半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法选项：A:对B:错答案: 【错】3、问题:PMOS的基底是p型半导体，所以叫PMOS。选项：A:对B:错答案: 【错】4、问题:半导体镀膜通常在真空中进行是为了削减杂质沉积的干扰。选项：A:对B:错答案: 【对】5、问题:硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。选项：A:对B:错答案: 【错】6、问题:GaAs晶体是_结构选项：A:金刚石B:闪锌矿C:体心D:面心答案: 【闪锌矿】7、问题:有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是5，带隙是1.2eV，B的晶格常数是4，其带隙有可能是_____eV选项：A:1.4B:1.0C:1.2D:以上都不行能答案: 【1.4】8、问题:如下列图所示的能带结构，代表的是＿＿＿半导体＿＿＿＿＿＿＿＿　EC――――――――　EF ＿＿＿＿＿＿＿＿　EV选项：A:n型B:p型C:本征D:以上都不是答案: 【n型】