第3章基本电子器件.pptxVIP

第 3 章 基本电子器件;;（1） 本征半导体;硅和锗的共价键结构;形成共价键后，每个原子都与相邻的四个原子相结合，形成最外层有八个电子的稳定结构。;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;;（2）杂质半导体;N型半导体;N型半导体;空穴;P型半导体;杂质半导体的示意表示法;;;扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽;;（2） PN结的单向导电性;PN结正向偏置;PN结反向偏置;（3） 半导体二极管;(二)、伏安特性;（三）静态电阻Rd ，动态电阻 rD;静态电阻Rd ，动态电阻 rD;二极管：死区电压=0 .5V，正向压降0.7V(硅);例2：二极管的应用;（四）二极管的主要参数;3、 稳压二极管;稳压管的主要参数：;注意：要想使稳压管起稳压作用，稳压管必 须工作在反向偏置状态。;例题：有两只稳压二极管DZ1和DZ2，其稳定电压分别为5.5V和8.5V，正向压降均为0.5V。如果要想得到3V、6V、9V和14V几种稳定电压，这两只稳压管（还有限流电阻）应该如何联接？画出各个电路。;4 、半导体三极管;;发射结;B;（2） 电流放大原理;;三极管起电流放大作用的条件：;静态(直流）电流放大倍数;（3） 特性曲线; IB 与UBE的关系曲线;（二）输出特性曲线： IC与UCE的关系曲线;输出特性;输出特性三个区域的特点:;(3) 截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置， UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 C和E之间相当于一个开关的断开状态; 前面是以NPN型三极管为例来讲解三极管的放大原理的，其晶体管中电流实际方向和发射结与集电结的实际极性如图所示。;判断三极管的类型、种类及电极E、B、C的原则：;例如：测得处于放大状态的三个三极管的各电 极的电位分别如图（a）、（b）、（c）所示。 试判断各管的类型，并区分E、B、C三个电极;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;IC;IC;三极管的技术数据： （1）电流放大倍数? （2）集-射间穿透电流ICEO （3）集-射间反向击穿电压UCEO (BR) （4）集电极最大电流ICM ???5）集电极最大允许功耗PCM PCM = ICMUCE;5、 场效应晶体管;绝缘栅型场效应管MOS; MOS绝缘栅场效应管（N沟道）;;?耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;;?耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;跨导gm