第8章IC工艺晶体外延生长技术.pptxVIP

Locations where thin films are deposited Wafer fabrication (front-end) Wafer startThin FilmsPolishUnpatterned waferDiffusionPhotoEtchCompleted waferTest/SortImplant第四单元：薄膜技术第8章： 晶体外延生长技术第9章：薄膜物理淀积技术第10章：薄膜化学汽相淀积第8章： 晶体外延生长技术为什么需要外延？1）双极分离器件（如：大功率器件的串联电阻问题）2）双极IC（隔离与埋层问题）3）化合物半导体器件及超晶格的异质结问题4）MOS集成电路 Chapter 14 8.1外延层的生长 8.1.1生长的一般原理和过程 SiCl4的氢化还原——成核——长大一般认为反应过程是多形式的两步过程如:(1) 气相中 SiCl4+H2=SiCl2+2HCl 生长层表面 2SiCl2=Si+SiCl4(2) 气相中 SiCl4+H2=SiHCl3+HCl 生长层表面 SHiCl3+H2=Si+3HCl在(111)面上生长,稳定的是双层面,位置7、8、9比位置1、2、3、4稳定在一定的衬底温度下，1、2、3、4位的原子很容易扩散（游离）到7、8、9相应的位置，使生长迅速在横向扩展。即，可看成是多成核中心的二维生长。如：1200°C时V（111）~几百埃/分V（112）~几百微米/分8.1.2生长动力学(14.2, 14.3) 与热氧化过程不同的是，外延时只有气相质量转移过程和表面吸附（反应）过程。因而，气相外延是由下述步骤组成的多相过程 1）反应剂分子以扩散方式从气相转移到生长层 表面 2）反应剂分子在生长层表面吸附； 3）被吸附的反应剂分子在生长层的表面完成化 学反应，产生硅原子及其它副产物； 4）副产物分子丛表面解吸； 5）解吸的副产物以扩散的形式转移到气相，随 主气流排出反应腔； 6）反应所生成的硅原子定位于晶格点阵，形成 单晶外延层； 1) Mass transport of reactantsGas delivery 8) By-product removal 7) Desorption of byproducts 2) Film precursor reactionsBy-productsExhaust 3) Diffusion of gas molecules 5) Precursor diffusion into substrateContinuous film 6) Surface reactions 4) Adsorption of precursorsSubstrate因而在反应剂浓度较小时有：v为外延层的生长速率(14.2)KS为表面化学反应系数，hG气相质量转移（传输）系数NT为分子总浓度，Y为反应剂摩尔数1）生长速率和反应剂浓度的关系——正比（a）！（b）、（c）？SiCl4（气）+Si（固）?2SiCl2（气）2）生长速率与外延温度的关系对于SiCl4，Ea~1.9eV SiH4，Ea~ 1.6eVDG0：0.1~1cm2s-1 a：1.75~2在较高温度下：kShG 质量转移控制 在较低温度下：kShG 表面反应控制在高温段（质量转移控制）生长速率受温度影响小，便于控制（可为±10°C）3）生长速率与衬底取向的关系 v(110)v(100)v(111) ?4)气相质量转移 进一步分析可得： 由这一公式可得出什么？8.1.3 外延堆垛层错 CCAAAAAAAAAAAAACCBBBCCCCCCCCCCCCCBBB AAABBBBBBBBBBBAAAAA CCCAAAAAAAAACCCCC BBBBCCCCCCCCCBBBBB AAAAABBBBBBBAAAAAA CCCCCCAAAAACCCCCCCBBBBBBBBCCCBBBBBBBB AAAAAAAABAAAAAAAAA 层错(失配晶核)产生的原因：晶面的缺陷(机械损伤、位错、微缺陷、氧化斑点、杂质沉陷区)和表面污染（灰尘、杂质等），气体和反应剂的纯度不够，温度过低或起伏过大，生长速率过快等。HCl汽相抛光8.2（汽相）外延生长工艺8.2.1 外延层中的掺杂 在外延反应剂中加入掺杂剂 （如：PH3、PCl3、PCl5、AsCl3、AsH3、SbCl3、SbH3和BBr3、BCl3、B2H6等）1）掺杂浓度受汽相中的掺杂剂分气压控制2）生长速率和温度的影响