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LED芯片制作流程报告内容1.概况2.外延3.管芯LED芯片结构 MQW=Multi-quantum well,多量子阱LED结构MOCVD生长衬底材料生长芯片加工芯片切割器件封装LED 制造过程Sapphire蓝宝石LED制程工艺LED三个过程：材料生长、芯片制备、器件封装。步骤内容前段外延片衬底及外延层生长中段蒸镀、光刻、研磨、切割过程后段将做好的LED芯片进行封装外延片制作衬底外延可用LED衬底1.GaAs衬底 2.Al2O3衬底3.SiC衬底4.Si衬底9、我们的市场行为主要的导向因素，第一个是市场需求的导向，第二个是技术进步的导向，第三大导向是竞争对手的行为导向。10、市场销售中最重要的字就是“问”。11、现今，每个人都在谈论着创意，坦白讲，我害怕我们会假创意之名犯下一切过失。12、在购买时，你可以用任何语言；但在销售时，你必须使用购买者的语言。13、He who seize the right moment, is the right man.谁把握机遇，谁就心想事成。14、市场营销观念：目标市场，顾客需求，协调市场营销，通过满足消费者需求来创造利润。15、我就像一个厨师，喜欢品尝食物。如果不好吃，我就不要它。16、我总是站在顾客的角度看待即将推出的产品或服务，因为我就是顾客。17、利人为利已的根基，市场营销上老是为自己着想，而不顾及到他人，他人也不会顾及你。GaAs衬底 GaAs衬底：在使用LPE (液相磊晶)生长红光LED时，一般使用AlGaAs外延层，而使用MOCVD生长红黄光LED时，一般生长AlInGaP外延结构。优点晶格匹配，容易生长出较好的材料不足吸收光子蓝宝石Al2O3衬底优点化学稳定性好不吸收可见光价格适中制造技术相对成熟不足导电性能差坚硬，不易切割导热性差SiC衬底优点化学稳定性好导电性能好导热性能好不吸收可见光不足价格高晶体品质难以达到Al2O3和Si那么好机械加工性能比较差吸收380 nm以下的紫外光，不适合用来研发380 nm以下紫外LED目前国际上能提供商用的高品质的SiC衬底的厂家只有美国CREE公司。 Si衬底 优点 晶体品质高 尺寸大 成本低 易加工 良好的导电性 良好的导热性和热稳定性 不足 由于GaN外延层与Si衬底之间存在巨大的晶格失配和热失配，以 及在GaN的生长过程中容易形成非晶氮化硅，所以在Si 衬底上很难得到无龟裂及器件级品质的GaN材料。 硅衬底对光的吸收严重，LED出光效率低。 Si衬底制备流程长晶→切片→抛光→退火p-GaNMQWN-GaN缓冲层蓝宝石外延生长在半导体基片上形成一个与基片结晶轴同晶向的半导体薄层，称为半导体外延生长技术，所形成的薄层称为外延层P、N极的分离表现为元素掺杂度的不同外延生长方法依制程的不同，可分为LPE(液相磊晶)、MOCVD(有机金属气相磊晶)及MBE(分子束磊晶)。LPE的技术较低，主要用于一般的发光二极管MBE的技术层次较高，容易成长极薄的磊晶，且纯度高，平整性好，但量产能力低，磊晶成长速度慢。MOCVD除了纯度高，平整性好外，量产能力及磊晶成长速度亦较MBE为快，所以现在大都以MOCVD来生产。MOCVD 其过程首先是将GaN衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉（简MOCVD，又称外延炉），再通入III、II族金属元素的烷基化合物（甲基或乙基化物）蒸气与非金属(V或VI族元素）的氢化物（或烷基物）气体，在高温下，发生热解反应，生成III-V或II-VI族化合物沉积在衬底上，生长出一层厚度仅几微米（1毫米＝1000微米）的化合物半导体外延层。长有外延层的GaN片也就是常称的外延片。双气流MOCVD生长GaN装置MOCVDMOCVD 英国Thomas Swan公司制造，具有世界先进水平的商用金属有机源汽相外延(MOCVD)材料生长系统，可用于制备以GaN为代表的第三代半导体材料第一代-Ge、Si半导体材料第二代-GaAs、 InP化合物半导体材料第三代-SiC、金刚石、GaN等半导体材料外延片为什么有个缺口呢？绿光外延片管芯制作 蒸发光刻划片裂片分拣黄光区光刻ITOICP刻蚀光刻电极蒸镀电极剥离、合金MQW光刻胶ITON-GaNP-GaN缓冲层衬底金电极外延片ITO光刻ITO甩 胶前 烘曝 光显 影坚 膜腐 蚀ITO氧化铟锡是Indium Tin Oxides的缩写。作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射，紫外线及远红外线。因此，喷涂在玻璃，塑料及电子显示屏上后，在增强导电性和透明性的同时切断对人体有害的电子辐射及紫外线、红外线。光刻ITO甩胶：将少许光刻胶滴在外延片上，用匀胶台在高速旋转 后形成均匀的胶膜。前烘：使光刻胶的溶剂挥发，用于改善光刻胶与样品表面的 粘附性。曝光：用紫外光