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磁导率 初始磁导率
如果没有别的因素限制,那么磁导率肯定越高越好。磁导率高,意味着所需要的线圈圈数可以很少,变压器和电感器的体积可以很小。但现实是:磁导率越高,磁感应强度越高,而磁芯材料所能工作的磁感应强度围是有限的,所以有时候我们不得不设法减小有效磁导率,以防止磁芯饱和 AC滤波器的选择就灵活了.流过电流通常不大,没那么多要求,磁导率可以在10-12K都OK.
一样的磁密, 储能密度与磁导率呈反比, 电感如果是储能用, 那么就选低u的. 如果是作磁放, 那得选高u矩磁.
变压器, 原那么上磁导率用大些, 以利于减小励磁电流, 励磁电流分量并不能传递到次级, 因此要越小越好. 但是也不是盲目的大, 太大也不好, 如磁集成LLC便需要具有相当大的励磁电流. 要求磁导率适中
选用较高磁导率的铁氧体磁芯,磁感应强度就会越大,这样所要求的线圈匝数就会越小,变压器体积就会相对更小。
磁导率高了,同样的电感量可以用更小的磁芯;但是,更容易饱和。
所以,要计算
选择高μ值的铁氧体,绕制匝数可能会少点,但是得注意电感量以及饱和问题。如果对质量因素有要求的话,绕线匝数也不是越少越好。
μ高的材料在同样尺寸、同样匝数的情况下,肯定电感量大。电感量大在大电流的情况下,反向电压就高,磁通密度也就上升了,磁心就容易饱和了
软磁材料为什么磁导率越高,能量存储越小
E=VB2/2u
E=uH2/2
容量总会有限,导磁率高,励磁功率就小,用来做变压器是很好的,但作电流泵〔flyback〕用就不太适合了。
几句话讲明白,电感的能量为什么绝大局部存在气隙中?
电路????????磁路
电动势??????磁动势
电阻????????磁阻
电流????????磁通量
的砖不但引出来很多玉,最后还能引出相声段子。百家争鸣确实好,各抒己见,越辩越明。
73楼greendot给出的式子很好,相当有说服力,为了更清楚明白的表示,我又更调理的写出来了,如下
最后一项左侧是磁芯的,右侧是气隙的能量,很明显,只要lgMPL/ur,那么绝大局部能量是在气隙中的。
这样说好象不是很严谨,根据H=B/u可以看出,u越小磁场强度H越强,而磁芯存储的能量与H成正比,所以说气隙存储了大局部的能量
再引申下,如何从物理的直观来理解?
磁路和电路时可以类比的,不妨在这里列出来
电路????????磁路
电动势??????磁动势
电阻????????磁阻
电流????????磁通量
电路中 V=R*I
磁路中, MMF = Rm*Φ
我们有个共识,就是电阻串联电路中,电阻越大,那它消耗的能量也就越大,当然是相比与跟其串联的电阻。
那在磁路中,同样的适用,就是磁阻越大,其上的能量也就越大。
磁阻=l(长度)/(ur*u0*Ac)
一般情况下,气隙的磁阻磁芯的磁阻,所以其上的能量也就越大,所以电感的能量绝大局部存在气隙中。
整个磁路 H的值是一样的,不同的是B值。
能量大小可以用B-H围成的面积来表征 ,气息和磁芯是串联,因此磁通密度一样〔姑且〕。
一样的delta B, 对应了更多的delta H 〔气息的u 比磁芯的u要小〕。因此磁场能量几乎都集
中在气息这里。这样理解是否正确呢?〔这是我以前的理解〕
加气隙拉扁磁滞回线可以让磁芯的饱和H值大一些,自然就会提高存储能量的能力,至于磁能为什么大局部存在于气隙中,我觉得36楼的解释也差不多,可以作为一种形象的理解,气隙的磁阻大,等效磁路长,自然存储的能量就大了。
公式变型为:
W=VB2/2u,似乎更为直观一点
V体积,B磁通密度,u磁导率,
个人理解,气隙类似于电容中的绝缘体,磁性材料类似于导体,磁场类似于电场。
如果没有气隙,相当于把电容两端短路了。
所以气隙既不存储能量也不传递能量,气隙的作用就是让磁场保持势能。
以上只是类比,磁和电区别还是很大的。
我的理解是气隙并不能存储能量,毫无疑问,能量肯定是存储在磁芯中的。
从B/F曲线上可以看到,加气隙之后,磁芯允许电流的能量增加了,所以磁芯在不饱和的前提下,能承受更大的电流,因此,存储的能量就大了。
气隙长度远小于端面边长的时候,可近似认为Ae=Ag,那么电感L=Ae/〔le/u+lg/u0〕。在适宜的工作频率下,铁氧体u在2000u0以上,铁粉心、非晶等磁芯的有效磁导率更高。那么只要??2000lg le,气隙里储存的能量就大于磁芯了,如果气隙长度和端面边长差距不太大的时候,考虑边沿磁通,储存
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