检测与传感技术项目6光电传感器、项目2电阻式传感器及应用、项目8其他类型的传感器、项目3电容式传感器及应用、项目5热电偶、项目7数字式传感器及应用、项目4电感式传感器及应用《检测与传感技术》实训实验指导书.pdfVIP

《检测与传感技术》 实训实验指导书 西安铁路职业技术学院 牵引动力学院 目 录 实验一 金属箔式应变片——单臂电桥性能实验 1 实验二 金属箔式应变片——全桥性能实验 7 实验三 电容式传感器的位移特性实验 9 实验四 电涡流传感器位移特性实验 12 实验五 被测体材质对电涡流传感器的特性影响实验 16 实验六 直流激励时霍尔式传感器的位移特性实验 17 实验七 霍尔测速实验 20 实验八 压电式传感器测量振动实验 21 实验九 光纤传感器的位移特性实验 26 实验十 光电转速传感器的转速测量实验 29 实验十一 Cu50温度传感器的温度特性实验 30 实验十二 Pt100热电阻测温特性实验 33 实验十三 热电偶测温性能实验 36 实验十四 湿敏传感器实验 39 实验十五 暗光街灯 （光敏电阻）应用实验 41 实验十六 红外遥控 （光敏管）应用实验 42 《检 测 与 传 感 技 术 》 实 训 实 验 指 导 书 实验一 金属箔式应变片——单臂电桥性能实验 一、实验目的：了解金属箔式应变片的应变效应，单臂电桥工作原理和性能。 二、基本原理：电阻应变式传感器是在弹性元件上通过特定工艺粘贴电阻应 变片来组成，一种利用电阻材料的应变效应工程结构件的内部变形转化为电阻变 化的传感器。此类传感器主要是通过一定的机械装置将被测量转化成弹性元件的 形变，然后由电阻应变片将弹性元件的形变转化为电阻的变化，再通过测量电路 将电阻的变化转换成电压或者电流变化信号输出。它可用于能转化成形变的的各 种物理量的检测。 1.应变片的电阻应变效应 所谓电阻应变效应是指具有规则外形的金属导体或半导体材料在外力的 作用下产生应变而其电阻值也会产生相应的改变，这一物理现象称为 ‘电阻应变 效应’。以圆柱形导体为例：设其长为L，半径为r，截面积A，材料的电阻率为 2 ρ，根据电阻的定义得①R ρL/A ρL/πr ，当导体因某种原因产生形变时，其 长度L，截面积A，电阻率ρ变化为dL、dA、dρ,相应的电阻变化为dR。对式全 微分得电阻变化率②dR/R dL/L-2dr/r+dρ/ρ。式中dL/L为导体轴向应变量 εL，dr/r为横向应变量 ε，由材料力学可知 ③ εL -μεr，式中μ为材料 r 的泊松比，大多数金属材料的泊松比为为0.3~0.5左右；负号表示两者变化方向 相反。将③代入②得：④dR/R （1+2μ)ε+dρ/ρ，④说明电阻应变效应主要取 决于它的几何应变 （几何效应）和本身特有的导电性能 （压阻效应）。 2.应变灵敏度 它是指电阻应变片在单位应变作用下所产生的电阻的相对变化量。 ⑴金属导体的应变灵敏度K主要取决于其几何效应，取dR/R≈(1+2μ)εL， 其灵敏度系数K dR/εLR 1+2μ。金属导体在受到应变作用时将产生电阻变化， 拉伸时电阻增大，压缩时电阻减小，且与其轴向应变成正比。金属导体的应变灵 敏度一般在2左右。 ⑵半导体的应变灵敏度主要取决于其压阻效应；dR/R 〈≈dρ/ρ。半导体材 料之所以具有较大的电阻变化率，是因为它具有远比金属导体显著得多的压阻效 应。在半导体受力变形时会暂时改变晶体结构的对称性，因而改变了半导体的导 电机理，使得它的电阻率发生变化，这种物理变化称之为半导体的压阻效应。不 同材质的半导体材料在不同受力条件下产生的压阻效应不同，可以是正或者负的 -1- 《检 测 与 传 感 技 术 》 实 训 实 验 指 导 书 压阻效应。也就是说，同样是拉伸变形，不同材质的半导体将得到完全相反的电 阻变化效果。 半导体材料的电阻应变效应主要体现为压阻效应，其灵敏度系数较大，一般 在100到200左右。 3.贴片式应变片的应用 在贴片式工艺的传感器上普遍应用金属箔式应变片，贴片半导体应变片很少 应用 （温漂、稳定性、线性度不好且易损坏），一般半导体应变采用N型单晶硅 为传感器的弹性元件，在它上面直接蒸镀扩散出半导体电阻应变薄膜 （扩散