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半导体专业术语 2. effective layer thickness :有效层厚,指在外延片制造 25. heteroepitaxy :单晶长在不同材料的衬底上的外延方法 55. metal n : 金属 中,载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。 26. high-current implanter :束电流大于 3ma 的注入方式, 56. nanometer (nm) n :纳米 3. EM :electromigration ,电子迁移, 指由通过铝条的电流 用于批量生产 57. nanosecond (ns) n :纳秒 导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。 27. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter :高效率 58. nitride etch n :氮化物刻蚀 4. epitaxial layer :外延层。半导体技术中,在决定晶向的 空气颗粒过滤器,去掉 99.97% 的大于 0.3um 的颗粒 59. nitrogen (N2 ) n : 氮气,一种双原子气体 基质衬底上生长一层单晶半导 体材料,这一单晶半导体 28. host :主机 60. n-type adj :n 型 层即为外延层。 29. hot carriers :热载流子 61. ohms per square n :欧姆每平方 : 方块电阻 5. equipment downtime :设备状态异常以及不能完成预定 30. hydrophilic :亲水性 62. orientation n : 晶向,一组晶列所指的方向 功能的时间。 31. hydrophobic :疏水性 63. overlap n : 交迭区 6. etch :腐蚀, 运用物理或化学方法有选择的去除不需的区 32. impurity :杂质 64. oxidation n :氧化,高温下氧气或水蒸气与硅进行的化 域。 33. inductive coupled plasma(ICP) :感应等离子体 学反应 7. exposure :曝光, 使感光材料感光或受其他辐射材料照射 34. inert gas :惰性气体 65. phosphorus (P) n :磷 ,一种有毒的非金属元素 的过程。 35. initial oxide :一氧 66. photomask n :光刻版,用于光刻的版 8. fab :常指半导体生产

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