半导体制造工艺晶体的生长.pptVIP

半导体制备工艺原理 第一章 晶体生长 * 半导体器件与工艺 * 一、衬底材料的类型 元素半导体 Si、Ge…. 2. 化合物半导体 GaAs、SiC 、GaN… * 二、对衬底材料的要求 导电类型：N型与P型都易制备； 电阻率：0.01-105?·cm，均匀性好（纵向、横向、微区）、可靠性高（稳定、真实）； 寿命（少数载流子）：晶体管—长寿命； 开关器件—短寿命； 晶格完整性：低位错（1000个/cm2）； 纯度高：电子级硅（EGS） --1/109杂质； 晶向：Si:双极器件--111；MOS--100； 直径、平整度、禁带宽度、迁移率等。 * Si： 含量丰富，占地壳重量25%； 单晶Si 生长工艺简单，目前直径最大18英吋（450mm） 氧化特性好， Si/SiO2界面性能理想，可做掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘栅等介质材料； 易于实现平面工艺技术； * Ge： 漏电流大，禁带宽度窄，仅0.66eV(Si:1.1eV)； 工作温度低，75℃（Si:150℃）； GeO2易水解（SiO2稳定）； 本征电阻率低：47 ?·cm（Si: 2.3x105 ?·cm）； 成本高。 * Si 的基本特性: FCC 金刚石结构，晶格常数a=5.431 ? 间接带隙半导体， 禁带宽度 Eg=1.12eV 相对介电常数， ?r=11.9 熔点： 1417oC 原子密度： 5x1022 cm-3 本征载流子浓度：ni=1.45x1010 cm-3 本征电阻率 ?=2.3x105 ?·cm 电子迁移率 ?e=1500 cm2/Vs, 空穴迁移率?h=450 cm2/Vs * 三、起始材料--石英岩（高纯度硅砂--SiO2） SiO2+SiC→Si(s)+SiO(g)+CO(g), 冶金级硅：98%； Si(s)+3HCl(g) →SiHCl3(g)+H2，三氯硅烷室温下呈液态沸点为32℃，利用分馏法去除杂质； SiHCl3(g)+ H2→Si(s)+ 3HCl(g)，得到电子级硅（片状多晶硅）。 300oC * 单晶制备 一、直拉法（CZ法） CZ 拉晶仪 熔炉 石英坩埚：盛熔融硅液； 石墨基座：支撑石英坩埚；加热坩埚； 旋转装置：顺时针转； 加热装置：RF线圈； 拉晶装置 籽晶夹持器：夹持籽晶（单晶）； 旋转提拉装置：逆时针； 环境控制系统 气路供应系统 流量控制器 排气系统 电子控制反馈系统 * 拉晶过程 熔硅 将坩埚内多晶料全部熔化 ；注意事项：熔硅时间不易长； 引晶 将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗称“烤晶”，以除去表面挥发性 杂质同时可减少热冲击。当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触，籽晶向上拉， 控制温度使熔体在籽晶上结晶； * 收颈 指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部 分。其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位 错的延伸。颈一般要长于20mm。 * 放肩 缩颈工艺完成后，略降低温度（15-40℃） ，让晶体逐渐长大到 所需的直径为止。这称为“放肩”。 * 等径生长：当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不再增大，称为收肩。收肩后保持晶体直径不变，就是等径生长。此时要严格控制温度和拉速。 * 收晶：晶体生长所需长度后，拉速不变，升高熔体温度或熔体温度不变，加快拉速，使晶体脱离熔体液面。 * 硅片掺杂 目的：使硅片具有一定电阻率 （比如： N/P型硅片 1-100 ?·cm） 分凝现象：由于杂质在固体与液体中的溶解度不一样， 所以，杂质在固-液界面两边材料中分布的浓度是不同 的，这就是所谓杂质的分凝现象。 分凝系数: , Cs 和 Cl分别是固体和液体界面附近的平衡掺杂浓度 一般情况下k01。 * 掺杂分布 假设熔融液初始质量为M0，杂质掺杂浓度为C0（质量浓度）， 生长过程中晶体的质量为M，杂质在晶体中的浓度为Cs， 留在熔液中杂质的质量为S，那么熔液中杂质的浓度Cl为： 当晶体增加dM的重量： * * 有效分凝系数 当结晶速度大于杂质在熔体中的扩散速度时，杂质在界面附近熔体中堆积，形成浓度梯度 按照分凝系数定义： 由于Cl(0)未知，然而为了描述界面粘滞层?中杂质浓度偏离对固相中的杂质浓度的影响，引入有效分凝系数ke: * 当??/D1，ke ?1， 所以为了得到均匀的掺杂分布， 可以通过较