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§ 4SILVACO-TCAD工艺及器件仿真工具SILVACO公司得 TCAD工具 ATHENA本章将向读者介绍如何使用来进行工艺仿真以及 ATLASMOSFET来进行器件仿真；假定读者已经熟识了硅器件及电路得制造工艺以及与 BJT 得基本概念；4、1ATHENA得 NMOS使用工艺仿真4、1、1 概述本节介绍用 ATHENAMOSFET 输入文件所需得基本操作；包括:创建一个典型得 § 4 SILVACO-TCAD 工艺及器件仿真工具 SILVACO 公司得 TCAD 工具 ATHENA 本章将向读者介绍如何使用 来进行工艺仿真以 及 ATLAS MOSFET 来进行器件仿真；假定读者已经熟识了硅器件及电路得制造工艺以及 与 BJT 得基本概念； 4、1 ATHENA 得 NMOS 使用 工艺仿真 4、1、1 概述 本节介绍用 ATHENA MOSFET 输入文件所需得基本操作；包括 : 创建一个典型得 a、 b、 c、 d、 e、 f、 创建一个好得仿真网格 演示淀积操作 演示几何刻蚀操作 氧化、扩散、退火以及离子注入结构操作 储存与加载结构信息 4、1、2 创建一个初始结构 1 定义初始直角网格 a、 输入 UNIX 命令 : deckbuild-an, 以便在 deckbuild 交互模式下调用 ATHENA ；在短 Empty Document, 暂得推迟后 ,deckbuild 如图 4、1 所示 ,点击 File 主窗口将会显现； 目录下得 清空 DECKBUILD 文本窗口 ; 图 4、1 清空文本窗口 b、 在如图 4、2 所示得文本窗口中键入语句 go Athena ; 图 4、2 以“go athena ”开头 接下来要明确网格； 网格中得结点数对仿真得精确度与所需时间有着直接得影响； 仿真 PN 结得区域应当划分更加细致得网格； 结构中存在离子注入或者形成 c、 为了定义网格 ,挑选 Mesh Define 菜单项 ,如图 4、3 所示；下面将以8μm得方形区域内 创建非匀称网格为例介绍网格定义得方法；在 0、6μ m×0、 c、 为了定义网格 ,挑选 Mesh Define 菜单项 ,如图 4、3 所示；下面将以 8μm得方形区域内 创建非匀称网格为例介绍网格定义得方法； 在 0、6μ m×0、 图 4、3 调用 ATHENA网格定义菜单 2 在 0、 6μ m×0、8μm 得方形区域内 创建非匀称网格 a、 在网格定义菜单中 ,Direction( 方向 )栏缺省为 X; 点击 Location( 位置 )栏并输入值 0;点 击 Spacing(间隔 )栏并输入值 0、1; b、 c、 在 ment( 注释 )栏,键入“ Non-Uniform Grid(0 点击 insert 键,参数将会显现在滚动条菜单中 、6um x 0 、8um) ”,如图 4、4 所示 ; ; 图 4、4 连续插入 X 4 、5 点击 Insert 定义网格参数图 键后 d、 间距均为 方向得网格线 ,将其次与第三条 X 方向得网格线分别设为 0、2 与 0、6, 0、01；这样在 X ,用作为 NMOS 方向得右侧区域内就定义了一个特别精密得网格 晶体管得有源区 ; e、 接下来 ,我们连续在 Y 轴上建立网格； 在 Direction 栏中挑选 Y;点击 Location 栏并输 入值 0；然后 ,点击 Spacing 栏并输入值 0、 008; f、 在网格定义窗口中点击 insert 键 ,将其次、第三与第四条 Y 网格线设为 0、2、0、5 与 0、8,间距分别为 0、01,0、05 与 0、15,如图 4、 6 所示； 图 4、6 Y 方向上得网格定义g、h、为了预览所定义得网格 ,在网格定义菜单中挑选View 键,就会显示 View Grid 窗口；最终 ,点击菜单上得WRITE 键从而在文本窗口中写入网格定义得信息；如图4、7；图 4、7 对产生非匀称网格得行说明4、1、 图 4、6 Y 方向上得网格定义 g、 h、 为了预览所定义得网格 ,在网格定义菜单中挑选 View 键,就会显示 View Grid 窗口； 最终 ,点击菜单上得 WRITE 键从而在文本窗口中写入网格定义得信息；如图 4、7； 图 4、7 对产生非匀称网格得行说明 4、1、3 定义初始衬底参数 由网格定义菜单确定得 LINE 语句只就是为 ATHENA 仿真结构建立了一个直角网格系 : 网格初始化菜单将 得基础；接下来需要对衬底区进行初始化；对仿真结构进行初始化得步骤如下 a. 在 ATHENA mands 菜单中挑选 Mesh Initialize 选项；ATHENA ,100晶向得硅被选作材料 ; 会弹出；在