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光伏行业基础知识内部培训 单晶和多晶 单晶硅硅棒 多晶硅硅锭 单晶硅主要是 125×125mm和 156×156mm两种规格 多晶硅主要是 156× 156mm规格 单晶硅硅片因为使用硅棒原因，四角有圆形大倒角，而多晶硅硅片 一般采用小倒角。 单晶的转换效率高，但产能低、能耗大；多晶的转换效率相 对较低，但能耗低、产能大，适合于规模化生产。 单晶硅和多晶硅太阳电池 单晶硅太阳电池 多晶硅太阳电池 多晶硅硅片相对于单晶硅硅片， 有明显的多晶特性， 表面有一个个晶粒形状， 而单晶硅硅片表面颜色一致。 实验室最高效率：单晶 24.7%，多晶 20.3% 生产 效率：单晶 19%，多晶 17% 晶体硅太阳电池结构 正面电极 减反射膜 n 型硅 p 型硅 背面电极 太阳电池是将太阳光能直接转变为直流电能的阳光发电装置。 当光线照射太 阳电池表面时，一部分光子被硅材 料吸收；光子的能量传递给了硅原子，使电 子发生了越迁， 成为自由电子在 PN结两侧集聚形成了电位差， 当 外部接通电路 时，在该电压的作用下， 将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。 这个过 程的实质是：光 子能量转换成电能的过程。 pn 结 晶体硅太阳电池制备工艺 制绒和清洗 扩散制 PN结 背面周边刻蚀 制减反射膜 丝网 烧结 档测试 丝网印刷正电极 分类检测 包装 丝网印刷背电场 原硅片 丝网印刷背电极 PECVD 刻蚀和去磷硅 玻璃 扩散 制绒 制绒和清洗 硅片 清洗 机械损伤层 约 10 微米 在硅片的切割生产过程中会形成厚度达 10 微米左右的 损伤层，且可能引入 一些金属杂质和油污。如果损伤 层去除不足，残余缺陷在后续的高温处理过程 中向硅 片深处继续延伸， 会影响到太阳电池的性能。 单晶硅片的清洗采用碱液 腐蚀技术 多晶硅片的清洗采用酸液腐蚀技术 由于绒面结构的存在，入射光经绒面第一次反射后，反 射光并非直接入射 到空气中，而是遇到邻近绒面，经过 邻近绒面的第二次甚至第三次反射后，才 入射到空气中， 这样对入射光就有了多次利用， 从而减小了反射率。 表 面没有 绒面结构的硅片对入射光的反射率大于 30%，有 绒面结构的硅片对入射光的反 射率减小到了 12%左右。 清洗的目的： 清除硅片表面的机械损伤层； 清除表面油污和金属杂质； 形 成起伏不平的绒面，减小太阳光的反射。 清洗设备 扩散制 PN结 p 型硅片 石英炉 磷化合物分子 n 型硅 p 型硅 磷原子 把 p 型硅片放在一个石英容器内，同时将含磷的气体通入这个石英容器内， 并将此石英容器加热到一定的温度， 这时施主杂质磷可从化合物中分解出来， 在容器内充满着含磷的蒸汽，在硅片周围包围着许许多多的含磷的 分子。磷化 合物分子附着到硅片上生成磷原子。 由于硅片的原子之间存在空隙， 使磷原子能 从四周