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芯片封装技术介绍;目录;传统IC封装工艺;IC工艺流程;Package--封装体： 指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC）形成的不同外形的封装体。 IC Package种类很多，可以按以下标准分类： 按封装材料划分为： 金属封装、陶瓷封装、塑料封装 按照和PCB板连接方式分为： PTH封装和SMT封装 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等； ; 按封装材料划分为： ; 按与PCB板的连接方式划分为： ; 按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等； 决定封装形式的两个关键因素: 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加； 其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了  芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术。 ;IC的封装形式;TOP VIEW;封装原材料;封装原材料;封装原材料;封装原材料;封装原材料;典型的封装流程;FOL– Front of Line前段工艺;FOL–背面减薄;FOL–晶圆切割;FOL– 晶圆切割;FOL–第二道光检;FOL–芯片粘接;FOL–芯片粘接;FOL–芯片粘接;FOL–银浆固化;FOL–引线焊接;FOL–引线焊接;FOL–引线焊接;FOL–引线焊接;FOL–引线焊接;FOL–第三道光检;EOL– End of Line后段工艺;EOL–注塑;EOL–注塑;EOL–注塑;EOL–激光打标;EOL–模后固化;EOL– 去溢料;EOL–电镀;EOL–电镀退火;EOL–切筋成型;EOL–切筋成型;EOL–第四道光检;晶圆级封装技术;晶圆级芯片尺寸封装;封装加工效率高，它以晶圆形式的批量生产工艺进行制造； 具有倒装芯片封装的优点，即轻、薄、短、小； 晶圆级封装生产设施费用低，可充分利用晶圆的制造设备，无须投资另建封装生产线； 晶圆级封装的芯片设计和封装设计可以统一考虑、同时进行，这将提高设计效率，减少设计费用； 晶圆级封装从芯片制造、封装到产品发往用户的整个过程中，中间环节大大减少，周期缩短很多，这必将导致成本的降低； 晶圆级封装的成本与每个晶圆上的芯片数量密切相关，晶圆上的芯片数越多，晶圆级封装的成本也越低。晶圆级封装是尺寸最小的低成本封装。; 晶圆级封装技术的优势使其一出现就受到极大的关注并迅速获得巨大的发展，已广泛用于闪速存储器、EEPROM、高速DRAM、SRAM、LCD 驱动器、射频器件、逻辑器件、电源/ 电池管理器件和模拟器件(稳压器、温度传感器、控制器、运算放大器、功率放大器) 等领域。;晶圆级芯片尺寸封装工艺; 一是重布线工艺（RDL-Redistribution Layer） 二是焊料凸点制作工艺; 就是在器件表面重新布置I/O 焊盘。传统芯片的焊盘设计通常为四周分布，以便进行引线键合，焊盘分布很难满足凸点制备的工艺要求，因此为了满足倒装工艺，需要进行焊盘再分布。芯片焊盘设计为阵列分布，如果分布不合理或者使用的凸点制备工艺不同仍然不能满足倒装焊工艺时，可以通过焊盘再分布技术实现倒装。 常见的RDL 材料是电镀铜（Plated Cu）辅以打底的钛、铜溅射层（Sputtered Ti/Cu）。;重布线工艺流程;凸点制作工艺包括电镀、丝网印刷、蒸发、放置预制焊球和C4NP等方法。; ;Wafer preparation 晶片制备 (Passivation and Al pads); MEMS系统封装;MEMS封装;MEMS晶圆级封装;晶圆级盖帽封装工艺;晶圆键合技术;晶圆键合技术;晶圆键合技术;TSV封装技术;采用 TSV 的晶圆级封装结构示意图 ;LED晶圆级封装技术;LED半晶圆级封装;LED半晶圆级封装;LED半晶圆级封装;晶圆级荧光粉丝网印刷工艺（倒装键合）;晶圆级荧光粉丝网印刷工艺（引线键合）;LED全晶圆级封装;LED全晶圆级封装流程概览;谢 谢！