热循环条件下高密度倒装微铜柱凸点失效行为分析.pdfVIP

3 7 10 Vol． 37 No． 10 第 卷第 期 焊 接 学 报 2 0 1 6 1 0 October 2 0 1 6 年 月 TＲANSACTIONS OF THE CHINA WELDING INSTITUTION 热循环条件下高密度倒装微铜柱凸点失效行为分析 1，2 1 2 1 ， ， 丰顺 ， 拴军 任 宁 田 野 吴 尚 (1． ， 450001 ;2． ， 430074) 河南工业大学 机电工程学院 郑州 华中科技大学 武汉光电国家实验室 武汉 : ， ， ． 摘 要 基于圣维南原理 采用全局模型和子模型相结合的建模方针 建立倒装芯片封装的有限元模型 分析热循 ， ， 环条件下微铜柱凸点的应力及应变分布 研究高密度倒装芯片封装微铜柱凸点的失效机理 对关键微铜柱凸点的 ． ， ， 裂纹生长行为进行分析 结果表明 距芯片中心最远处的微铜柱凸点具有最大的变形与应力 为封装体中的关键微 ; ， ， ， 铜柱凸点 累积塑性应变能密度主要分布在关键微铜柱凸点的基板侧 在其外侧位置最大 向内侧逐渐减小 这表 ， ， ． 明裂纹萌生在基板侧微铜柱凸点外侧 向内侧扩展 试验结果与模拟结果相一致 : ; ; ; 关键词 倒装芯片封装 微铜柱凸点 累积塑性应变能密度 失效行为 中图分类号:TG 454 文献标识码:A 文章编号:0253 － 360X (2016)10 － 0025 － 04 ［5 － 8］ 封装球形焊点的研究上 ， 微铜柱凸点在热环 0 序 言 对 ， 境条件下的可靠性研究较少 相关的可靠性理论基 ． ， 础及数据尚非常缺乏 文中采用有限元模拟法 基 为 、 满足电子产品微型化 便携化和多功能化的 ［1］ ， 于全局模型与子模型相结合的建模方针 建立微