晶硅太阳能电池浆料烧结分析.pptxVIP

晶硅太阳能电池浆料烧结分析会计学 Outline 晶硅太阳能电池烧结机理 烧结曲线分析正电极烧结机理背电池烧结机理 测试分析正银烧结前后形貌及成分分析背银烧结前后形貌及成分分析铝背场烧结前后形貌及成分分析烧结的目的及作用 燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触， 从而提高开路电压和短路电流并使其具有牢固的附着力与良 好的可焊性。正电极的银、氮化硅薄膜、以及硅经烧结后形成银硅合金， 使电极与硅形成良好的欧姆接触，从而提高开路电压和短路 电流。背面场经烧结后形成的铝硅合金，铝在硅中是作为P+型掺杂， 它可以减少金属与硅交接处的少子复合，从而提高开路电压和 短路电流，改善对红外波段的响应。烧结曲线电池烧结的整个时间约１２０ｓ，分为烘干、预烧、烧结和降温４ 个阶段 烧结温度的设定温区12345678910带速温度36037038048052058063774092670210温区温度温度逐渐上升的烘干区域（1，2，3）２００℃ ～５００℃烧结背面电极的区域５００℃ ～６５０℃烧结正面银电极的区域６５０℃ ～７８０℃冷却硅片的降温区域温度自然降低 前三个区是烘干区，主要完成浆料中有机成分的挥发，后六个区主要完成背场和正面的烧结，也可以说硅铝欧姆接触和银硅欧姆接触的形成。正电极的烧结机理正电极的烧结机理低温区主要是一个浆料有机溶剂和有机粘合剂被蒸发和被燃烧；中温阶段主要是玻璃体开始融化，银颗粒开始聚合；高温阶段主要是银、硅、玻璃体开始发生反应，形成银硅合金冷却主要是银粒子在硅片表面结晶生长正银PV-16L差热热重曲线分析有机物挥发放热反应有机物燃烧有机物挥发 前三个区是烘干区，主要完成浆料中 有机成分的挥发和燃烧有机物燃烧从Ag-Si相图看银的溶解与再结晶从Ag-Si相图看： 两者形成合金的最小温度为830度，比例为： Ag：Si=15.4：84.6银的融化点为950 ?C 因此，在太阳电池的烧结温度下 （850~900 ?C ）银无法溶解与硅形成合金但如果银和硅形成混合相，则可以在830 ?C形成固态的合金。玻璃料的作用是形成一种Ag和Pb的混合态，以使其合金点下降，使得银在低于830 ?C溶解从Ag-Pb相图看银的溶解与再结晶Ag (950 ?C)Ag-Si (830 ?C)Ag-Pb (600 ?C)只要比率很低的铅（1%）就可以使合金液化温度降低到600度以下欠烧和过烧结 每一批片子都有一个最佳烧结点，当温度超过或者低于最佳烧结点的温度的时候，片子都是没有达到我们的理想烧结要求的欠烧时欧姆接触没有完全形成，串联电阻会偏大，填充因子偏低过烧时银硅合金消耗太多银金属，银硅合金层相当于隔离层，阻止了载流子的输出，也会增加接触电阻，降低填充因子。 背电极的形成机理在峰值区前接触烧成，同时背场和背接触烧成讨论：沉积铝层厚度铝珠和鼓包现象铝层厚度对于背表面复合速率的影响但是并不是铝层厚度越厚越好，铝层太厚会引起弓片，增加单耗。我们公司大概在30um左右可见背面铝浆最少要大于20?m铝珠和鼓包现象铝珠一般都是烧结区温度过高出现的，在我们对片子进行二次烧结时，铝珠基本上都会出现的，当一次烧结出现铝珠时，此时已经有过烧的嫌疑了，那就直接降低烧结区的温度。鼓包现象时经常出现的外观问题，这种现象基本上是都可以通过调节烧结区的温度来解决的，除了浆料本身的原因之外，从烧结角度来调节鼓包的话，首先还是把烧结区的温度降低，也是要保证欧姆接触，也就是保证效率的正常，再去调节烘干区的温度。鼓包的最大的可能一是烧结区温度过高使得硅铝合金突破铝的氧化层，二是片子在经过烘干区时浆料挥发不充分或者时挥发过快。 正银烧结前后形貌及成分分析副栅线烧结前后高宽比的变化烧结后副栅宽度降低烧结前后副栅高度几乎没有变化烧结后副栅高宽比增加正银PV-16L未烧结前形貌背散射像二次电子像正银未烧前银颗粒形状各异，主要有直径不等的球状， 不规则的颗粒组成正银未烧结前能谱分析元素重量原子 百分比百分比C K1.4010.05O K2.4713.31Si K0.421.28Ag L92.6674.09Pb M3.061.27总量100.00正银烧结后形貌二次电子像背散射像正银烧结后孔洞较多，同过二次电子像和背散射信号对比，右图黑色区域 对应于孔洞状，主要是由于在孔洞处背散射电子收集信号较弱导致正银烧结后能谱分析元素重量原子 百分比百分比C K0.645.03O K1.257.40Mg K0.271.03Si K0.230.76Ag L97.6285.78总量100.00三星和PV16L浆料烧结后形貌对比PV-16L三星三星浆料烧结后和杜邦浆料烧结后有所区别，三星浆料中有更小的颗粒存在三星正银烧结后形貌二次电子像背散射像三星浆料烧结后小颗粒处不存在成分的偏析三星浆料烧结后能谱