IGBT芯片和IGBT模块封装技术动态[借鉴].pdfVIP

IGBT 芯片和 IGBT 模块封装技术动态 目前我国 IGBT 产业在国家政策及重大项目的推动及市场牵引下得到了迅速发展，呈现出大 尺寸区溶 (FZ) 单晶材料、 IGBT 芯片工艺和 IGBT 模块封装技术全面蓬勃发展的大好局面。 我国 IGBT 成就显著 天津中环半导体股份有限公司研制的 6 英寸 FZ单晶材料已批量应用，在国家“ 02”科 技重大专项的推动下， 8 英寸 FZ 单晶材料已取得重大突破 ; 电磁灶用 1200V NPT 型 IGBT 已 由多家企业 ( 江苏东光、华润华晶、山东科达等 ) 批量供货，这标志着我国国产 IGBT 芯片打 破了国外一统天下的局面。 基于 6 英寸和 8 英寸的平面型和沟槽型 1700V、2500V 和 3300V IGBT 芯片已研制出样品， 正进行可靠性考核， 4500V 和 6500V IGBT 芯片研制也在积极推进中 ; 封装技术取得重大进展。 株洲南车时代电气股份有限公司的 IGBT 功率模块已在国内地铁及机车上装车试运营， 产品性能等同于国外产品，同时 8 英寸 IGBT 芯片生产线也在建设中。 中国北车集团属下的西安永电电气有限责任公司生产的 6500V/ 600A IGBT功率模块已成 功下线，使其成为全球第四个、国内第一个能够封装 6500V 以上电压等级 IGBT 的厂家。此 外，江苏宏微的 IGBT 模块 已成功进入电焊机市场， 浙江嘉兴斯达的 IGBT 模块 正积极向国外 市场推广。材料、设计、工艺和封装是 IGBT 最重要的，其中最为核心的是设计和工艺。目 前国内还需在可靠性设计和工艺上、特别是与成本和性能密切相关的薄片工艺上努力探索。 虽然国内 IGBT 行业近年来取得了重大进展， 但我们必须清醒地看到， 国内 IGBT 行业与 国外还存在巨大差距。差距主要是在芯片生产技术方面，我们在 400V～600V 薄片 FS(场阻 ) 结构 IGBT 芯片生产、高可靠高性能 IGBT 芯片技术、压接式 IGBT 功率模块生产技术等领域 与国际先进水平还差之甚远。 应积极发展宽禁带器件 IGBT 是中高功率应用的主流，从 2010 年世界功率半导体市场份额可以明显看出， IGBT 以超过 50%的增长率高居功率半导体领域之首，并创记录地达到 32 亿美元的销售额。 2010 年日本罗姆公司宣布量产 SiC 功率 MOSFET，美国 Cree 公司随后也宣布量产 1200V SiC 功率 MOSFET。 虽然 SiC 功率 MOSFET性能较硅基 IGBT更优，但高昂的价格使其在较长时期内难以取代 IGBT。我们期待 SiC MOSFET首先在 汽车电子 、工业应用等有较大应用市场而又对价格不太 敏感的领域取得突破， 从而进一步带动 SiC 电力电子器件的发展。 基于硅基衬底的 GaN功率 半导体器件是我看好的发展方向，但目前其主要问题是长期可靠性难以实现。 SiC 电力电子 器件在中高功率、 GaN电力电子在 1200V 以下的中低功率和多功能集成领域具有发展优势。 在此本人大力呼吁，虽然以 SiC( 碳化硅 ) 及 GaN(氮化镓 ) 为代表的宽禁带电力电子技术目前 还处于发展初期， 但我们必须高度重视， 应积极发展宽禁带电力电子器件， 否则我们将持续 落后。 设计和加工紧密结合