IGBT模块驱动及保护技术[定义].pdfVIP

江苏宏微科技有限公司 设计天地与应用指南 IGBT 模块驱动及保护技术 江苏宏微科技有限公司 应用工程师（ FAE） 方玉甫 江苏宏微科技是一家设计生产半导体器件的高科技公司， 公司设计生产各种 具有自主知识产权的功率半导体器件。 在公司的系列化产品中， IGBT 以其高的 性价比，高可靠性成为客户在电源设计领域的首选。本公司生产的各种型号的 IGBT 一般情况下可直接替代英飞凌和西门康的同类型产品，在性价比上有着 无 可比 拟 的优势 ，同时还可以 根据 客户的 特殊要求 ，为客户 量身定做 各种产品。 欢 迎广大 的设计 人员 选购我 公司的产品， 下面是关于 IGBT 模块 的驱动 与保护 技术 在应用方 面 的一些经验总结 ，与大家分享 ，也希望 为设计 人员在应用本公司产品 时提供 一 点参考 。 1. 引言 IGBT 是 MOSFET 和双极晶 体管的复合器件。 它既 有 MOSFET 易驱动 的特 点 ，又具有功率 晶体管高电 压、 电流大等优点 。其特性 发挥出 MOSFET 和功率 晶体管各自的 优点 ，正常 情况下可工 作于几十 kHz 的频 率范围内 ，故在 较高频 率应用 范围 中，其中中 、大功率应用 占据了主导地 位 。 IGBT 是电压控制 型器件，在 它 的栅极发射极之间施加十几 V 的直流 电压 ， 只有 μA 级 的电流流过 ，基 本上 不消耗 功率。 但 IGBT 的栅极发射极之间 存在较 大 的寄生电 容 （几千至 上万 pF），在驱动 脉冲 的上升和下 降沿需 要提供 数 A 级 的 充放 电电流 ，才能满足开通 和关断 的动态 要求 ，这使得 它 的驱动 电路也必须输 出 一 定的峰值 电流 。 IGBT 作 为一种 大功率的 复合器件， 存在着 过流时 可 能发生 闭锁现象而造 成 损坏 的问题 。在过流时 如采取 一定 的速度封锁 栅极 电压 ，过高的电 流变化会引起 过 电压 ，需要采用 软关断技术 ，因此掌握好 IGBT 的驱动 和保护特 性对于设计人 员来说 是十分 必要 的。 2． IGBT 的栅极特性 IGBT 的栅极通 过氧化膜和发射极 实现 电隔离 。由于氧化膜很薄 ，其击穿 电 压 一般 只能达到 20 到 30V ，因此栅极击穿 是 IGBT 最常见 的失效原因 之 一。在 应用中有 时虽然 保证 了栅极驱动 电压没有超过 最大额定栅极 电压 ，但栅极 连线 的 寄生电感和栅极 -集 电极之间 的电容耦 合 ，也 会产生 使氧化膜损坏 的振荡 电压 。 为此 ，通常采用绞线来传送 驱动信 号，以减 小寄生电 感 。在栅极 连线 中串联小 电 阻可以抑 制振动 电压 。 由于 IGBT 的栅极- 发射极之间 和栅极-集 电极之间 存在着 分布 电容 ，以及发 射极驱动 电路 中存在着 分布 电感 ，这些分 布参数 的影响 ，使 IGBT 的实际驱动波 形 与理想 驱动波形 不完全相 同，并且 产生 了不利 于 IGBT 开通和 关断的因素 。如 图 1 所示 。 在 t0 时刻 ，栅极驱动 电压开始上升 ，此时影响栅极