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IGBT 模块的等效热路模型 引言 半导体器件的热特性可以使用不同的等效热路模型来描述： 图 1: 连续网络热路模型 (Continued fraction circuit, 也称作 Cauer 模型 , T 模型或梯形网 络) 连续网络热路模型 (Continued fraction circuit) 反应了带有内部热阻的半导体器件的 热容量真实的物理传导过程。当已知器件的每层的材料特性时，就能够建立这个模型。然 而，要画出 每层材料上的热路图是十分麻烦的。模块的每一层（芯片、芯片的连接部、基 片、基片连接部、底板）都可以用相应独立的 RC 单元来表示。因此从热路模型的各网络 节点就能够获得每层材料的内部温度。 图 2: 局部网络热路模型 (Partial fraction circuit, 也称作 Foster 模型或 pi 模型 ) 与连续网络热路模型不同，局部网络热路模型 (Partial fraction circuit) 的 RC 部分不 再与各材料层对应。网络节点没有任何物理意义。本应用手册是用该模型，因为系数很容 易从已测得的散热曲线中得到，因此该模型往往用于解析计算模块的温度分布。 在本应用手册中，局部网络热路模型中的系数是用如表格中的 r 和一起表示的。 这里举一个例子： 图 3: 局部网络热路模型中含输入功率 P(t), 壳温 Tcase 和 IGBT 的仿真模型 在实际应用中，基板和散热片的温度不是总能简化假设为恒定值，因为与散热片的时 间常数相比，负载周期的时间不是短到可以忽略的。对于非固定的工作环境，要对 Tcase(t ) 进行测量或者将 IGBT 模型与散热片模型连接。 考虑导热胶 在以上两种网络热路模型中，在评估最恶劣情况下的温度时是用导热胶 Rt h 替代常常 是未知的导热胶 Zt h 。然而，在局部网络热路模型中，当一个阶跃的功率输入到 IGBT 中 时将导致通过导热胶的温度随即上升，并因此将导致实际器件中不存在的结温升高。有两 种方法可以避开这个问题： 1) 如果散热片的 Zth 可以通过测量得到，应当用基板的温度 Tcase 来代替散热片的温 度 Ths 。在这种情况下，导热胶已经包含在散热片的温度测量中，这样就不必再单独分开 考虑。 2) 如果 IGBT 已经搭建，因已知输入功率损耗 P(t) ，则基板的温度 Tcase(t) 可以直接 测量得到，从而根据图 3 计算得到。 IGBT 加散热片用局部网络热路模型或连续网络热路模型？ 用户经常会想避免测量的花费，而想利用目前已有的 IGBT 和散热片热参数画热路模 型图。连续网络热路模型和局部网络热路模型都提供描述了 IGBT 的结到壳与散热片到周 围环境的热传递过程。如果要将 IGBT 和散热片的模型合并在一起，就会出现要用哪个模 型的问题，特别是如果 IGBT 与散热片的热特性是分别独立给出的。 连续网络热路模型中的 IGBT 和散热片： 图 4: 综合的连续网络热路模型 连续网络热路模型和模型中相连接的各材料层的模型使得热传递过程物理意义清晰， 即各材料层是逐层传递热量的。热量流动—类比于电路中的电流—经过一段时间延迟后到 达并加热散热片。连续网络热路模型可以通过仿真或者由一个测量的局部网络热路模型变 换得到。 通过对整个结构的每一层材料分析和有限元建模仿真，很明显可以建立一个模型。但 这只有在包含了某一特定的散热片时才是可能的，因为散热片对