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（市场分析）闪存市场分析 长 沙 龙 驰 闪 存 市 场 资 料 一、 闪存的种类：NAND 和 NORflash NOR 和 NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 Intel 于 1988 年首先开发出 NORflash 技术，彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。 紧接着，1989 年，东芝公司发表了 NANDflash 结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。 但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清 NOR 和 NAND 闪存。相“flash存储器”经常可以与相“NOR 存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚 NAND 闪存技术相对于 NOR 技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时 NOR 闪存更适合一些。而 NAND 则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR 的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace)，这样应用程序可以直接在 flash 闪存内运行，不必再把代码读到系 RAM 中。NOR 的传输效率很高，在 1～4MB 的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用 NAND 的困难在于 flash 的管理和需要特殊的系统接口。 性能比较:lash 闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何 flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND 器件执行擦除操作是十分简单的，而 NOR 则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为 0。由于擦除 NOR 器件时是以 64～128KB 的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为 5s，与此相反，擦除 NAND 器件是以 8～32KB 的块进行的，执行相同的操作最多只需要 4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了 NOR 和 NADN 之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于 NOR 的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 NOR 的读速度比 NAND 稍快一些。 NAND 的写入速度比 NOR 快很多。 NAND 的 4ms 擦除速度远比 NOR 的 5s 快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。接口差别 NORflash 带有 SRAM 接口， 有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND 器件使用复杂的 I/O 口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8 个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND 读和写操作采用 512 字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于 NAND 的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。 容量和成本：NANDflash 的单元尺寸几乎是 NOR 器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND 结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NORflash 占据了容量为 1～16MB 闪存市场的大部分，而 NANDflash 只是用在 8～128MB 的产品当中，这也说明 NOR 主 要 应 用 在 代 码 存 储 介 质 中 ， NAND 适 合 于 数 据 存 储 ， NAND 在 CompactFlash、SecureDigital、PCCards 和 MMC 存储卡市场上所占份额最大。 靠性和耐用性：采用 flahs 介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展 MTBF 的系统来说，Flash 是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较 NOR 和 NAND 的可靠性。 寿命(耐用性)在 NAND 闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而 NOR 的擦写次数是十万次。NAND 存储器除了具有 10 比 1 的块擦除周期优势，典型的 NAND 块尺寸要比 NOR 器件小 8 倍，每个 NAND 存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。 位交换所有 flash 器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND 发生的次数要比 NOR 多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于 NAND 闪存，NAND 的供应商建议使用 NAND 闪