硅集成电路工艺基础复习资料.pdfVIP

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2021-10-18 发布于重庆
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硅集成电路工艺基础复习资料.pdf

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硅集成电路工艺基础绪论：单项工艺的分类： 1、图形转换：光刻、刻蚀 2、掺杂：扩散、离子注入 3、制膜：氧化、化学气相淀积、物理气相淀积第 2 章氧化 SiO2 的作用： 1、在 MOS电路中作为 MOS器件的绝缘栅介质，作为器件的组成部分 2、作为集成电路的隔离介质材料 3、作为电容器的绝缘介质材料 4 、作为多层金属互连层之间的介质材料 5、作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料 6、扩散时的掩蔽层，离子注入的