湿法清洗制程优化对焊盘表面再结晶缺陷抑制.docxVIP

湿法清洗制程优化对焊盘外表再结晶缺陷抑制 钱洪涛1.杨洪春2 （1.±海交通大学 微电子学院,上海200030： 220XX03） 摘要：芯片焊盘上的再结品缺陷是引起半导体后段封测工艺中键合失效的主要原因之 -0国际上巳经对这一缺陷的形成有了一定的理论分析，也提出了可以通过湿法清洗来去除 此缺陷?在此根底上，通过对湿法清洗这一制程的优化，可在抑制焊盘外表再结品缺陷的同 时，有效地防止随之产生的焊盘摘蚀的何题,并旦通过更换品盒的步骤进一步降低了再结晶 缺陷出现的可能性。同时提出了氢浓度对再结晶缺陷的影响以及对此的监测方法，对于大生 产过程中抑制焊盘外表再结品缺陷形成有一事实上的参考价值。 关堆诃：焊盘：再结晶缺陷；湿洗清洗 中国分类号：TN405. 97 文献标识码：A 文章编号：1003-353X （2007） 11-0937-03 引言 现代的半导体制造I：艺中.随君芯片集成度的增加,对微电子封装的精度要求变得越来 越高，由此键合质量及可驻性控制与提升的难度也随之加大.键合质员的优劣很大程度上取 决于焊盘上缺陷数址的多少，所以如何减少焊盘上的缺陷是提高键合质址的关键“其中,焊盘 上的再维品缺陷是半导体制造工艺中引起键合失效的主要原因之一 ”?因此，研究和解决 焊盘上的再结品缺陷向题,对于提高半导体的键合、封装质量与可靠性具有很高的理论和实 用价值? 机理 焊盘上的再结晶是指在焊盘外表馅铜合金与卤族元素发生反响生成的卤化偌晶体（图 1）。这一再结晶的过程是对焊盘外表铝铜合金的腐蚀，而且卤化铝晶体的形成会造成后段封 装工艺中金球与焊盘外表的粘结缺乏,从而引发严重的牯合问题（图2）1,\ 目前国际上对于母盘上的再结品缺陷的形成原理己经宥了-?个比拟通用的说法，即电化 学反成模型愆?。将其形成总结为以下两个过程:第一步为电化学反响，芯片焊盘的氧化铝膜和 铝膜组成的系统在瓶离子与水汽的同时作用下生成氛敏化措：第二步为酸成中和反响，裂氧 化铝在级筑酸的作用下生成铝瓶敏的化合物A1O直.，即为再结品形成的晶体“针对这一形成 原理，要发生再结晶反响，描蚀性的杂质离子（通常是氧离子）和电解液（水汽）是必不可少 的。 实验设计 对于水汽影响的研究比拟多，普遍认为当晶圆存放环境的湿度偏高（相对湿度大于48%） 时，再结品缺陷产生的概率就会大幅增加。同时也提出了预防方法，即控制好晶圆存放的环 境湿度，亦即洁净室的相对湿度小于?1跳、 对于窥元素?影响的研究比拟少。在现代的半导体制造工艺中，尤其是多层金属连线的设 计中，敏元素主要有两个来源：一是逻拊产品为了提高速度而应用的低介电常数绝缘材料 FSG （fluoride sil iconglass） 个那么是氧化硅干法蚀刻所必须用到的含瓶的气体。对于 FSG还是从干法蚀刻的角度考虑,其中瓶的含量都 是难以减少的，因此无论是诚少ESG中荻的浓度还是降低氧化硅干法蚀刻中含疝气体的流 技都不是可行的，这也是对氟元素的影响的研究比拟少的主要原因。 本文基于再结晶反响所需的瓶是指最终沉积于焊盘外表的疑这一指导思想，借鉴了国际 上已经给出的用焊盘刻蚀后湿法清洗来去除再结品缺陷的方法⑷，通过延长焊盘层干法蚀刻 后的湿法清洗的时间来到达葭少焊席外表的瓶含量的目的，从而抑制了焊甜外表再结品反响 的发生。本文的重点在于讨论制程中的残留反响物以及生成物对焊盘外表的影响，以及如何 史好地被少焊盘外表的氤含址,同时建立起?种比拟有效的焯盘表血皈含量的监测方法。 在半导体制造中后段金域刻蚀后的清洗通常分为三个步骤：①用EKC （由EKC Technology Inc .生产，包含拄胺、有机溶剂、阻蚀剂和水）作为清洗溶剂来去除刻独后的 残留物：②用NMP （*甲基-2-砒咯狷）作为媒介溶剂来去除EKC :③用去离子水来做最后清 洗⑷. 为了验证湿法清洗对于焊盘表而触离子的去除能力以及对焊盘外表的再结晶反响的抑 制作用，设计了一组只针对湿法消洗时间发生变化的实验。选择同-?批次生产的流片，除了 焊盘层干法蚀刻之后的湿法活洗制程以外，所有的生产机台以及运作程式都完全相同。采用 EKC作为主要的沽洗材料，制程温度控制在75 I。EKC湿法活洗的时间以lOmin为间隔， 从10 min到80 min进行变化。XMP以及去离子水的清洗都是10 min保持不变。但延长湿 法清洗的时间通常会引起焊盘边缘金厦腐蚀的出现（图3）1,\所以在最后去离子水的清洗 步骤中，图3扫描电了显微镜下焊盘边缘金属腐蚀缺陷的形貌木文利用了通入二氧化碳的方 式来抑制这种副反响的发生井JJL针对实验之后的产品，用愀做电子分析的方法对其外表 作定性以及定珀的分析，同时在光学显微镜下做长时间的验证,观察其焊盘外表是否会出现 再结品缺陷。 实验结果 俄敏电子分析说明，随假设