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信息材料专题知识讲座;5.1 固体光性质和光功效材料 固体光性质, 从本质上讲, 就是固体和电磁波相互作用, 这包含晶体对光辐射反射和吸收, 晶体在光作用下发光, 光在晶体中传输和作用以及光电作用、光磁作用等。基于这些性质, 能够开发出光学晶体材料、光电材料、发光材料、激光材料以及多种光功效转化材料等。在本章中, 我们从固体对光吸收本质开始, 然后介绍光电材料、发光材料和激光材料等。;§5.1 固体对光吸收与光电转换材料 5.1.1 固体光吸收本质; 比如, 离子晶体能隙宽度通常为多个电子伏, 相当于紫外光能量。所以, 纯净理想离子晶体对可见光以至红外区光辐射, 都不会发生光吸收, 都是透明。碱金属卤化物晶体对电磁波透明波长能够由~25μm到250nm, 相当于0.05~5ev能量。当有足够强辐射（如紫光）照射离子晶体时, 价带中电子就有可能被激发跨过能隙, 进入导带, 这么就发生了光吸收。这种与电子由价带到导带跃迁相关光吸收, 称作基础吸收或固有吸收。比如, CaF2基础吸收带在200nm(约6ev)周围, NaCl基础吸收约为8ev, Al2O3基础吸收约在9ev。;导带;缺点存在时晶体光吸收 晶体缺点有本征, 如填隙原子和空位, 也有非本征, 如替换杂质等。这些缺点能级定于在价带和导带之间能隙之中。当材料受到光照时, 受主缺点能级接收价带迁移来电子, 而施主能级上电子能够向导带迁移, 这么就使原本不能发生基础吸收物质因为缺点存在而发生光吸收, 图5.3给出了多种光吸收情况。; D→V过程 这一过程中, 松弛束缚在中性杂质上电子和一个价带中空穴复合, 对应跃迁能量是Eg—ED。比如对GaAs来说, 低温下Eg为1.1592ev, 很多杂质ED为0.006ev, 所以D→V跃迁应发生在1.5132ev处。所以, 发光光谱中在1.5132ev处出现谱线应归属于这种跃迁。含有较大理化能施主杂质所发生D→V跃迁应该低于能隙很多, 这就是深施主杂质跃迁DD→V过程。; C→A过程 本征半导体导带中一个电子落在受主杂质原子上, 并使受主杂质原子电离化, 这个过程能量为Eg—EA。比如对GaAs来说, 很多受主杂质EA为0.03ev, 所以C→A过程应发生在1.49ev处。实际上, 在GaAs发光光谱中, 已观察到1.49ev处弱发光谱线, 它应该归属于自由电子-中性受主杂质跃迁。导带电子向深受主杂质上跃迁, 其能量小于能隙很多, 这就是深受主杂质跃迁C→DA过程。; D→A过程 假如同二分之一导体材料中, 施主和受主杂质同时存在, 那么可能发生中性施主杂质给出一个电子跃迁到受主杂质上过程, 这就是D→A过程.。发生跃迁后, 施主和受主杂质都电离了, 它们之间结合能为: Eb= - e2/4πεKr 5.1.1 该过程能量为: Eg—ED—EA—Eb。;5.1.2 无机离子固体光吸收 无机离子固体禁带宽度较大, 通常为多个电子伏特, 相当于紫外光区能量。所以, 当可见光以至红外光辐照晶体时, 如此能量不足以使其电子越过能隙, 由价带跃迁至导带。所以, 晶体不会被激发, 也不会发生光吸收, 晶体都是透明。而当紫外光辐照晶体时, 就会发生光吸收, 晶体变得不透明。禁带宽度Eg和吸收波长λ关系为 Eg = hν = hc/λ 5.1.2 λ = hc/Eg 5.1.3 式中h为普朗克常数6.63×10-34 J·s, c为光速。 ; 假如在其中掺入0.1%Cr3+时, 晶体呈粉红色, 掺入1%Cr3+时, 晶体呈深红色, 此即红宝石, 能够吸收可见光, 并发出荧光。这是因为掺入Cr3+离子含有填满电子壳层, 在Al2O3晶体中造成了一部分较低激发态能级, 能够吸收可见光。实际上, 该材料就是经典激光材料, 我们在本章中还会讨论。; ;5.1.3 半导体光吸收和光导电现象 1.本征半导体光吸收 本征半导体电子能带结构与绝缘体类似, 全部电子充填在价带, 且为全满, 而导带中没有电子, 只是价带和导带之间能隙较小, 约为1ev。在极低温度下, 电子全部处于价带中, 不会沿任何方向运动, 是绝缘体, 其光学性质也和前述绝缘体一样。当温度升高, 部分电子可能取得充足能量