IGBT器件培训讲义.pptxVIP

IGBT器件培训 目录一、IGBT概述;二、IGBT器件分类;三、IGBT主要电气参数和特性；四、IGBT器件选用；五、IGBT失效分析；六、业界发展趋势；一、IGBT概述1、IGBT定义IGBT－绝缘栅双极性晶体管（Insolated Gate Bipolar Transistor），是80年代初为解决MOSFET的高导通压降（难以兼顾高压和大电流特性）和GTR的工作频率低、驱动功耗大等不足而出现的双机理复合器件（Double Mechanism Device）。相当于一个低压MOSFET和一个高压大电流GTR的复合结构。一、IGBT概述2、IGBT基本结构（N沟道增强型垂直式IGBT)平面栅极结构和MOSFET不同，IGBT的n区下面有一个p＋导通区。流经n－漂移区的电子在进入p＋区时，少数载流子（空穴）由p＋区注入漂移区并流向发射极。由此，n－漂移区载流子出现过盈和增强现象，并导致空间电荷区的缩小以及C-E电压的降低。一、IGBT概述3、IGBT主要特点双极型器件，少子参与导电。空穴电流占总电流的20～25％(NPT)。由于少数载流子注入的基区调制效应，正向饱和压降（类似于MOSFET的导通电阻）不再明显受到耐压的影响。在大电流下可获得很低的通态压降和很高的功率处理能力；同等耐压和功率处理能力下，IGBT所需的芯片面积明显小于MOSFET，因而具有成本优势；具有MOS栅控制结构，驱动与MOSFET类似；关断时由于少数载流子存储效应，存在电流拖尾，关断损耗较高；也限制了使用频率（一般不高于200KHZ）；由于没有自身的体二极管，应用中需配合反并二极管用以续流，同时限制反向电压。多数产品内部已集成封装了此反并二极管。一、IGBT概述4、IGBT主要应用范围二、IGBT分类1、按电压等级划分300，600，900，1200，1700，3300，6500V，等二、IGBT分类2、按芯片技术划分工艺穿通击穿电压器件成本饱和压降工作频率安全工作区PT异质外延 ＋扩散低于雪崩击穿电压高较低较低，20KHZ以下较窄，高温稳定性差NPT同质扩散＋离子注入高于雪崩击穿电压较低稍高较高较宽，高温稳定性好FS-NPT(LPT,SPT类似）与NPT类似，增加扩散一N+缓冲层（其浓度低于PT中的缓冲层）低于雪崩击穿电压较低较低，2V以下较高较宽，高温稳定性好二、IGBT分类PT(Punch Through)在正向截止状态下，空间电荷区覆盖了整个n－漂移区，其结尾处的n＋缓冲层吸收了剩余的电场；在p＋衬底（约500um)上外延生长高掺杂的n＋缓冲层（约10um）和n－漂移层（约100um），再双扩散出P型沟道体区和n发射区。多晶硅栅的扩散掩蔽作用有利于实现精确的自对准。二、IGBT分类NPT(Non Punch Through)N－区有足够厚度，可吸收在正向截止状态下最大截止电压(雪崩击穿)的场强，电场延伸到n－区之外的现象不会出现。工艺特点：在优质单晶结构的低浓度N-硅片上通过扩散、离子注入工艺完成器件整体制造，没有质量欠佳的异质外延层，因而开关安全工作区宽；N-区不掺金、铂等少子复合中心，因而高温稳定性好；集电极侧P区浓度和少子注入浓度低，关断速度快。二、IGBT分类FS-NPT(Field Stop NPT)剖面结构和电场行为和PT IGBT类似；n缓冲层浓度比PT中要低；制造工艺与NPT类似，饱和压降低，开关频率高，温度稳定性好。二、IGBT分类3、按栅结构划分沟槽栅（Trench）优点：单元面积较小，电流密度较大，通态损耗降低约30％；击穿电压更高；平面栅（planar）优点：承受短路能力较高；栅极电容较小（约为沟槽栅器件的三分之一）；TO-3PTO-3PFM二、IGBT分类4、按封装划分：（1）单管分立器件：TO-220, TO-247, TO-MAX等； 二、IGBT分类（2）模块：提供绝缘功能，3KV以上（安规认证，UL）。 绝缘材料： Al2O3、AlN、AlSIC、BeO等 （一般工业用器件采用Al2O3、AlN，而航空用器件采用AlSiC材料） 金属基片：主要采用直接铜熔结 DCB（Direct Copper Bonding）。在1000℃以上的温度下，约0.3～0.6mm的绝缘基片的上下表面分别与约300um后的铜层共熔一起，然后刻蚀上表面铜层以得到需要的电路连接。二、IGBT分类A、有铜底板（Copper Baseplate）的模块 DCB的底部被焊接在约3mm厚的铜底板上62mm模块：106×62×30mm二、 IGBT分类B、无铜底板的模块：EASY 系列SEMIPONT优势：降低成本和模块重量；减小热阻；缺点：由于DCB较薄，对安装工艺要求更苛刻；二、 IGBT分类5、按照内部拓扑划分：PIMIGBT二、 IGBT分