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半导体的导电特征(精) 半导体的导电特征(精) PAGE / NUMPAGES 半导体的导电特征(精) 自然界的各样物质就其导电性能来说， 能够分为导体、 绝缘体和半导 体三大类。 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗等，它们的 电阻率往常在 之间。半导体之所以获取宽泛应用，是因 为它的导电能力受混杂、 温度和光照的影响十分明显。 如纯净的半导 体单晶硅在室温下电阻率约为 ，若按百万分之一的比率掺入少许杂质（如磷）后，其电阻率急剧降落为 ，几乎 降低了一百万倍。半导体拥有这类性能的根来源因在于半导体原子构造的特别性。 本征半导体 图 硅原子的简化模型 常用的半导体资料是单晶硅（ Si ）和单晶锗（ Ge）。所谓单晶， 是指整块晶体中的原子按必定规则齐整地摆列着的晶体。 特别纯净的 单晶半导体称为 本征半导体 。 本征半导体的原子构造 半导体锗和硅都是四价元素，其原子构造表示图如图 1.1.1 所 示。它们的最外层都有 4 个电子，带 4 个单位负电荷。往常把原子核 和内层电子看作一个整体， 称为惯性核。惯性核带有 4 个单位正电荷， 最外层有 4 个价电子带有 4 个单位负电荷，所以，整个原子为电中性。 本征激发 在本征半导体的晶体构造中，每一个原子与相邻的四个原子联合。每一个原子的价电子与另一个原子 的一个价电子构成一个电子对。这对价电子是每两个相邻原子共有的，它们把相邻原子联合在一同，构成所谓共价键 的构造，如图 1.1.2 所示。 图 1.1.2 本征硅共价键构造 一般来说，共价键中的价电子不完整象绝缘体中价电子所受约束那样强，假如能从外界获取一 定的能量（如光照、升温、电磁场激发等），一些价电子即可能摆脱共价键的约束而成为自由电子，将这类物理现象称作为 本征激发 。 理论和实验表示：在常温（  T＝ 300K）下，硅共价键中的价电子只需获取大于电离能  EG（＝ 1.1eV ）的 能量即可激发成为自由电子。本征锗的电离能更小，只有 0.72eV 。 当共价键中的一个价电子受激发摆脱原子核的约束成为自由电子的同时，在共价键中便留下了一个空 位子，称“ 空穴 ”。当空穴出现时，相邻原子的价电子比较简单走开它所在的共价键而填补到这个空穴中来使该价电子本来所在共价键中出现一个新的空穴，这个空穴又可能被相邻原子的价电子填补，再出现新的空穴。价电子填补空穴的这类运动不论在形式上仍是成效上都相当于带正电荷的空穴在运动，且运动方 向与价电子运动方向相反。为了差别于自由电子的运动，把这类运动称为 空穴运动 ，并把空穴当作是一种 带正电荷的载流子。 在本征半导体内部自由电子与空穴老是成对出现的， 所以将它们称作为 电子 - 空穴对 。当自由电子在运 动过程中碰到空穴时可能会填补进去进而恢复一个共价键， 与此同时消逝一个“电子 - 空穴”对， 这一相反 过程称为 复合。 在必定温度条件下， 产生的“电子—空穴对”和复合的“电子—空穴对”数目相等时， 形成相对均衡， 这类相对均衡属于 动向均衡 ，达到动向均衡时，“电子 - 空穴对”保持必定的数目。 可见，在半导体中存在着自由电子和空穴两种载流子，而金属导体中只有自由电子一种载流子，这也 是半导体与导体导电方式的不一样之处。 [1] [2]