材料科学基础-位错反应和扩展位错.pptxVIP

章晶体缺陷（六） ——实际晶体结构(jiégòu)中的位错 ;面心立方(lìfāng)晶体中的典型位错; ;;;;; ;;;;;;;;;;;;;;2) 扩展(kuòzhǎn)位错 ;;;;;;;扩展(kuòzhǎn)位错的交滑移过程;第三十页，共47页。;;;; 该扩展(kuòzhǎn)位错在各自的滑移面上相向移动,当扩展(kuòzhǎn)位错中的一个不全位错到达交线BC时,发生位错反应:;;;;例 题 一;;例 题 二;第四十一页，共47页。;在A1的单晶体中，若(111)面上有一位错 与 面上的位错 发生反应时， (1) 写出上述位错反应方程式，并用能量条件判明位 错反应进行的方向， (2) 说明新位错的性质； ;解:(1);(1) bcc 滑移面有{111} {112} {113} 单位(dānwèi)位错 b = a/2〈111〉bcc中易发生交滑移,没有扩展位错,没有位错分解 (2) hcp 全位错 (3)关于离子晶体的位错?共价晶体中的位错?高分子晶体中的位错请参考教材及有关资料。;练 习 四;第四十六页，共47页。;内容(nèiróng)总结