5模拟电子技术第五章场效应管及其放大电路.pptxVIP

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管;P沟道;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;二、 工作原理; 把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。 ;②漏源电压VDS对沟道导电能力的影响; 当VDS为0或较小时，VGD＞VT，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。;可变电阻区(resistive region) —— 饱和区 恒流区（constant current region）——放大区 夹断区（cutoff rigion） ——截止区;①可变电阻区：;① vGS VT 时， iD = 0； ② vGS ≥ VT时， iD随vGS增大而增大。;; 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;二、工作原理;(1. 输出特性 2. 转移特性); 5.1.3 P沟道MOSFET; 5.1.4 沟道长度调制效应;绝 缘 栅 场 效 应 管;绝缘栅场效应管;5.1.5 MOSFET的主要参数;二、交流参数;