中远红外焦平面探测器.pptVIP

IRFPA与单元器件或线列器件相比的优点 集成光电转换和信号读出处理于一体； 由于具有对信号积分累加，因而提高系统的灵敏度和分辨率； 简化信号处理电路，降低对制冷系统的要求，减小系统体积，降低功耗和成本。 第三十页，共78页 IRFPA的分类 结构： ? 单片式 ? 混合式 光学系统的扫描方式： ?扫描型:采用时间延迟积分技术，采用串行方式读取电信号 ?凝视型:无需延迟积分，速度快，采用并行方式读取电信号。 读出电路 ?电荷耦合器件（CCD） ?金属氧化物半导体场效应管（MOSFET） ?电荷注入（CAM） 制冷方式： ?制冷型 D*~1011 cmHz1/2W-1 ，响应时间us ?非制冷型 D*~109 cmHz1/2W-1 ，响应时间ms 第三十一页，共78页 铟柱将阵列上的每一个红外探测器与多路传输器一对一地准确地配接起来，从而使红外探测器阵列能够和单片式结构相似地将所采集的图像信号通过多路传输器输送出去，完成全部的功能。 第三十二页，共78页 第二代光伏型HgCdTe焦平面探测器的两种扫描方式： （a）扫描型 和（b）凝视型 (a) (b) 第三十三页，共78页 几种材料的红外凝视焦平面阵列元数的增长，及2010年前的变化趋势预测。 第三十四页，共78页 几种工作在中远红外探测的材料 Material Name Symbol Eg (eV) ?c (?m) Operating Temp. (K) Mer-Cad-Tel HgCdTe 可调 0.7 – 25 50 - 250 Indium Antimonide InSb 0.189 6.55 80 Arsenic doped Silicon Si:As 0.05 24.8 10 第三十五页，共78页 第三十六页，共78页 Hg1-xCdxTe（MCT）IRFPA 带隙在0.7-25um内可调 直接带隙，吸收系数高； 热膨胀系数与Si膨胀系数相近，而且极易钝化； 用于红外各波段的MCT材料具有接近相同的晶格常数。 MCT材料的特性 能隙 第三十七页，共78页 HgTe与CdTe之间的晶格失配小，约为0.3% CdZnTe是与HgCdTe晶格匹配的优质衬底。 Cd0.96Zn0.04Te 第三十八页，共78页 HgCdTe可以按任何比例混合，构成一种禁带宽度连续变化的材料，而且工作温度较高，是目前性能最好、使用最广泛也最有发展潜力的半导体红外光电探测器材料。 第三十九页，共78页 HgCdTe器件结构 通过铟丘互连的背照式混成HgCdTe焦平面列阵的结构图 第四十页，共78页 第四十一页，共78页 The evolution of three generations of HgCdTe IRFPA 第四十二页，共78页 HgCdTe Photoconduction(PC) HgCdTe 长波HgCdTe光导型探测器的特性参数： ? 50-100Ω/cm2 ? 105 V/W at 1 mA bias for a 50×50μm device. ? D* about 80% of background limit. ? Photon noise level of a few nV/Hz. 第四十三页，共78页 HgCdTe Photovoltaic(PV) HgCdTe PV 探测器的台面刻蚀剖面图。 在透明的CdZnTe衬底上生长n-type HgCdTe，然后再掺杂p+-layer . 表面钝化是为了保护防止表面电荷积累和漏电流． 红外光从背面照射进去 第四十四页，共78页 The third generation HgCdTe devices 双波段焦平面列阵的每个单元由两个驻并在同一处的探测器组成，截止波长较长的光电二极管是通过外延方法生长在截止波长较短的光电二极管的顶部的，中间用p-tpye隔开。 每个探测器敏感一个不同的谱段，在背面照射的双波段探测器， 截止波长较短的那个光电二极管就相当于截止波长较长的那个光电二极管的一个长波通滤光片。 第四十五页，共78页 HgCdTe two-colour detector 波长与相对响应度的曲线图 第四十六页，共78页 HgCdTe红外焦平面面临的问题 HgCdTe晶体存在严重的缺点：结构完整性差和合金组分不均匀。 为克服上述缺点，目前应用液相外延（LPE）和分子束外延（MBE）方法制备HgCdTe薄膜材料；用于外延生长的衬底材料有CdZnTe、Si、GaAs。 在低温（＜50K），HgCdTe材料存在p型掺杂、肖克莱-里德复合、陷阱隧道效应以及表面和界面的不稳定的问题 第四十七页，共78页 （1）大面积列阵、小型化、降低价格； （2）双色及多色红外焦平面列阵的发展； （3）高性能的非致冷