试谈用于MEMS与微系统的材料.pptxVIP

第3章 用于MEMS和微系统的材料3.1 衬底微系统中，衬底使用目的有两个： 支撑将机械动作转换为电输出或者反之的转换器 信号转化器(压力传感器-Si膜；硅梁)两种衬底材料用于微系统：活性衬底材料-空间稳定性，对于环境条件不敏感惰性衬底材料可用作为基板的材料：SiSiO2、SiC、Si3N4和多晶硅等Si是地球上最丰富元素，主要以化合物形式存在单晶硅是用于MEMS和微系统最广泛衬底材料力学性能稳定 理想的结构材料，高杨氏模量，但重量轻 熔点高，高温稳定性好 热膨胀系数小没有机械迟滞效应，是理想的传感器和致动器的材料 硅晶片上容易制作涂层或者附加薄膜层硅衬底制作工艺非常成熟单晶Si必须采用单晶硅作为MEMS和微系统的衬底Czochralski单晶硅提纯法 粗硅+碳在石英坩埚中熔化 将种晶放在拉伸机尖端，与熔化硅接触并形成更大的晶体 拉伸机不断缓慢提升 不断拉伸及沉积，形成单晶硅芯棒单晶Si(续)采用以上方法得到的单晶硅棒直径可达300mm、长度可达30英尺、大约400公斤用金刚石砂轮切成薄片晶圆标准尺寸： 4英寸：100mmX500um(厚度) 6英寸：150mmX750um 8英寸：200mmX1mm 12英寸：300mmX750um单晶Si结构单晶硅基本为FCC结构 基本认为各向同性硅晶体的三维结构示意图原子数为12个原子数为18个密勒指数密勒指数一般用来指定晶面和晶向 一个平面与x、y、z相切 平面上的一点P(x,y,z)符合 另一种表现形式立方结构晶体中，a=b=c=1密勒指数(续)顶面: (001)右面: (010)前面: (100)对角面: (110)倾斜面面: (111)硅的力学性能 硅晶体主要晶面特征(100)晶面包含最基本的原子数，因此晶面最弱，最易被加工(110)晶面在微加工中可提供最洁净的加工面(111)晶面上相邻原子间晶格距离最短，因此最难加工晶向密勒指数杨氏模量(GPa)剪切模量(GPa)100129.579.0110168.061.7111186.557.5(100)晶面与(111)晶面间的角度为54.74°材料力学和物理性能sy(109N/m2)E(1011N/m2)r(g/cm3)C(J/g-°C)k(W/cm°C)a(10-6/°C)TM(°C)Si7.001.902.300.701.572.331400SiC21.007.003.200.673.503.302300Si3N414.003.853.100.690.190.801930SiO28.400.732.271.000.0140.501700Al0.170.702.700.9422.3625660Stainless steel2.102.007.900.470.32917.301500Cu0.070.118.90.3863.9316.561080GaAs2.700.755.300.350.506.861238Ge1.035.320.310.605.80937Quartz0.5-0.70.76-0.972.660.82-1.200.067-0.127.101710熔点屈服强度杨氏模量质量密度比热容热导率热膨胀系数3.3 硅化合物 微系统中常用的三种硅化合物：SiO2 SiC Si3N4二氧化硅 二氧化硅在微系统中的三个主要应用：作为热和电的绝缘体作为硅衬底刻蚀的掩膜作为表面微加工的牺牲层 获取二氧化硅的两种方法： 干法氧化特性数值密度 (g/cm3)2.27电阻 (W-cm)1016电介质常数3.9熔点 (°C)1700比热 (J/g-°C)1.0热导率 (W/cm°C)0.014热膨胀系数 (10-6/°C)0.5 湿法氧化(通入蒸汽)碳化硅碳化硅具有很好的高温尺寸和化学性质稳定性在高温下，碳化硅对氧化具有很强的抵抗力，是合适的掩膜材料碳化硅是生产单晶硅芯棒的副产品，可通过各种沉积方法生产碳化硅膜氮化硅氮化硅能有效阻挡谁和离子的扩散具有超强抗氧化和抗腐蚀的能力，适于做深层刻蚀的掩膜可用作光波导以及防止水和其他有毒流体进入衬底的密封材料用作高强度电子绝缘层和离子注入掩膜多晶硅用CVD的方法沉积到硅衬底上LPCVD,600~650℃掺杂之后，可作为导体和控制开关多晶硅具有随机的尺寸和取向的单晶硅 的集合，在热和结构分析时可看作各向同性 3.4硅压电电阻压电电阻效应： 固体在受到应力场作用使其电阻发生变化的现象应用于微传感器和致动器掺硼掺砷或磷的P形硅和n形硅都具有优良的压电电阻效应电阻的变化与应力场间的关系=室温下100取向的硅的电阻率和压阻系数P型硅的最大压阻系数大于n型硅，因此许多硅压电电阻是由硼做掺杂物的p型材料组成P型硅压电电阻在各个方向的压阻系数硅压电电阻计的电阻变化可通过下式表示：图13.5 砷化镓由等量砷原子和镓原子组成用于电子