半导体超晶格和多量子阱.pptxVIP

第9章 半导体超晶格(jīnɡ ɡé)和多量子阱 ;10.1 超晶格(jīnɡ ɡé)和多量子阱的一般描述;10.1 超晶格和多量子阱的一般(yībān)描述;10.1 超晶格和多量子阱的一般(yībān)描述;10.1 超晶格和多量子阱的一般(yībān)描述;10.1 超晶格(jīnɡ ɡé)和多量子阱的一般描述;10.1 超晶格(jīnɡ ɡé)和多量子阱的一般描述;10.1 超晶格(jīnɡ ɡé)和多量子阱的一般描述;10.2 超晶格(jīnɡ ɡé)的能带 ;10.2.1 GaAs-AlxGa1-xAs超晶格(jīnɡ ɡé);10.2.1 GaAs-AlxGa1-xAs超晶格(jīnɡ ɡé);10.2.1 GaAs-AlxGa1-xAs超晶格(jīnɡ ɡé);10.2.2 InAs-GaSb超晶格(jīnɡ ɡé);10.2.2 InAs-GaSb超晶格(jīnɡ ɡé); Si和Ge价带顶位于布里渊区中心k＝0处，并且价带是简并的（若一个能级与一种以上的状态相对(xiāngduì)应，则称之为简并能级，属于同一能级的不同状态的数目称为该能级的简并度）。由