四种典型全控型器件比较.docVIP

的比较 四种典型全控型器件的比较 、 对四种典型全控型器件的介绍 1、门极可关断晶闸管 (GTO) 1) GTO勺结构与工作原理 芯片的实际图形 GTO 结构的纵断面 符号 GTO勺内部结构和电气图形符号 2) 工作原理：设计 2较大，使晶体管V2控制灵敏。导通时1+ 2= 1.05更接近1,导通时 接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 多元集成结构，使得 P2 基区横向 电阻很小，能从门极抽出较大电流。下图为工作原理图。 2222 2、 电力晶体管 (GTR) 1 )电力晶体管勺结构： 内部结构 电气图形符号 NPN型电力晶体管的内部结构及电气图形符号 2)工作原理： 在电力电子技术中，GTF主要工作在开关状态。晶体管通常连接成共发射极电路， GTF通常 工作在正偏(lb 0)时大电流导通；反偏(Ibv 0)时处于截止状态。因此，给 GTR的基吸施加幅 度足够大的脉冲驱动信号，它将工作于导通和截止的开关状态。 3、 电力场效应晶体管 (Power MOSFET) 1) 电力MOSFE的结构 MOSFE元组成剖面图 图形符号 电力MOSFE采取两次扩散工艺，并将漏极 D移到芯片的另一侧表面上，使从漏极到源极的 电流垂直于芯片表面流过，这样有利于减小芯片面积和提高电流密度。 2) 电力MOSFE的工作原理： 当漏极接电源正极，源极接电源负极，栅源极之间电压为零或为负时