eFuse存储单元、eFuse存储阵列及其使用方法、eFuse系统与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 eFuse存储单元、eFuse存储阵列及其使用方法、eFuse系统与流程 本创造实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种efuse存储单元、efuse存储阵列及其用法方法、efuse系统。背景技术：efuse(电可编程熔丝，electricallyprogrammablefuse)技术是一种广泛应用于芯片内部的一次性编程存储技术，其可以用来记录芯片的配置信息，或者用于修复在集成电路中由于半导体工艺而不行避开的不良元件。当芯片失效时，芯片中的efuse电路可以对芯片进行缺陷修复，当芯片运行错误时，efuse电路可实现对芯片的自动订正，从而提高芯片的良率。efuse电路的特性是默认存储的比特位是规律“0”，可以通过编程将需要的比特位由规律“0”写成规律“1”，一旦写成规律“1”，就不能再写成规律“0”，但未被写成规律“0”的比特位还可以通过编程将其写成规律“1”。现有的efuse技术通常接受金属电熔丝，即通过把握电路中的电流，来把握电熔丝是否熔断以完成由规律“0”写成规律“1”的编程操作。技术实现要素：本创造实施例解决的问题是供应一种efuse存储单元、efuse存储阵列及其用法方法、efuse系统，提高了efuse存储阵列的良率。为解决上述问题，本创造实施例供应一种efuse存储单元，包括：编程晶体管，所述编程晶