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- 2021-11-07 发布于广东
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LPDDR测试方法、装置、可读存储介质及电子设备与流程
lpddr测试方法、装置、可读存储介质及电子设备技术领域[0001]本创造涉及存储器测试领域,特殊是涉及一种lpddr测试方法、装置、可读存储介质及电子设备。背景技术:[0002]动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)是当代计算机系统不行或缺的组成部件,分平台可有应用于个人电脑或服务器的ddr(double data rate,双倍数据速率)模组以及应用于嵌入式arm架构的lpddr(low power double data rate sdram,低功耗内存)芯片。[0003]lpddr的基本存储单元为cell,计算机及嵌入式系统通过在cell中写入高电平或低电平的方式进行数据存储和读写。[0004]另外,由于当前lpddr为了高效的存取速率接受的是突发读写方式,虽然突发读写方式使得数据访问更高效,但是依照这种访问方式进行的内存测试却使得cell与cell之间的故障难以得到激发。[0005]由于制程工艺的影响使得存储单元在读写时有可能造成数据存储故障,存储故障分为单cell和多cell故障。单cell故障主要包括固定故障(stuck at fault,sf)和跳变故障(transition fault
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