III族氮化物器件以及制备基于III族氮化物的器件的方法与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 III族氮化物器件以及制备基于III族氮化物的器件的方法与流程 iii族氮化物器件以及制备基于iii族氮化物的器件的方法背景技术：1.迄今，已经典型地利用硅(si)半导体材料制备在功率电子应用中用法的晶体管。用于功率应用的频繁的晶体管器件包括si coolmos?、si功率mosfet和si绝缘栅双极晶体管(igbt)。最近，已经考虑了碳化硅(sic)功率器件。诸如氮化镓(gan)器件的iii族?n半导体器件现在正作为用以承载大电流、支持高电压并且供应格外低的导通电阻和快速的开关时间的有吸引力的候选而消灭。然而，进一步改进基于iii族氮化物的器件是合期望的。技术实现要素：2.依据本创造，制备基于iii族氮化物的晶体管的方法包括：供应衬底，衬底包括基于iii族氮化物的层、在基于iii族氮化物的层的第一主表面上的第一钝化层以及被布置在第一钝化层上的其次钝化层，其次钝化层具有与第一钝化层不同的组分；在其次钝化层上形成第一掩模层，第一掩模层包括被布置在其次钝化层上的第一绝缘层和在第一绝缘层上的第一抗蚀剂层；在第一掩模层中形成用于栅极电极的第一开口，第一开口延长通过第一抗蚀剂层并且延长通过第一绝缘层；在第一掩模层中形成用于场板的其次开口，其次开口延长通过第一抗蚀剂层并且延长通过第一绝缘层；移除由第一开口暴露的其次钝化层