半导体中的非平衡载流子.pptVIP

School of Microelectronics 第一页，共26页 1 非平衡载流子的产生与复合 平衡态半导体的标志就是具有统一的费米能级EF，此时的平衡 载流子浓度n0和p0唯一由EF决定。平衡态非简并半导体的n0和p0乘 积为 称n0p0=ni2为非简并半导体平衡态判据式。 第二页，共26页 但是半导体的平衡态条件并不总能成立，如果某些外界 因素作用于平衡态半导体上，如图所示的一定温度下用光子 能量hγ≥Eg的光照射n型半导体，这 时平衡态条件被破坏，样品就处于偏 离平衡态的状态，称作非平衡态。 光照前半导体中电子和空穴浓度分 别是n0和p0，并且n0p0。光照后的非 平衡态半导体中电子浓度n=n0+Δn ，空穴浓度p=p0+Δp ，并且 Δn=Δp ，比平衡态多出来的这部分载流子Δn和Δp就称为非平 衡载流子。n型半导体中称Δn为非平衡多子，Δp为非平衡少子。 图3.5 n型半导体非平衡 载流子的光注入 第三页，共26页 光照产生非平衡载流子的方式称作非平衡载流子的光注入， 此外还有电注入等形式。 通常所注入的非平衡载流子浓度远远少于平衡态时的多子浓度。例如n型半导体中通常的注入情况是Δn n0，Δp n0，满足这样的注入条件称为小注入。 要说明的是即使满足小注入条件，非平衡少子浓度仍然可以比平衡少