半导体二极管及其电路分析.pptVIP

（2）反向特性 I（mA) 正向电流If U（V） 正向 反向 0.6 反向击穿电压 UBR 正向导通电压 UD 0 反向电流IS PN结V-A特性 曲线 3、外加反向电压时， PN结处于截止状态，反向电流 很小 , 且基本不变, 称为反向饱和电流。硅管反向饱和电流为纳安(ｎΑ)数量级, 锗管的为微安数量级。 （3）反向击穿特性 4、当反向电压加到一定值（UBR ）时, 反向电流急剧增加, 产生击穿。 4 3 第三十一页，共57页 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿——可逆 强电场将阻挡层内中性原子的价电子直接变为自由电子 功率损耗? PN结温升高?本征激发加剧?反向电流更大?连锁反应 反向电压增加 ?少子漂移加快 ?动能增加 ?碰撞电离?连锁反应 击穿的物理本质 （1）雪崩击穿：碰撞电离 （2）齐纳击穿：场致激发 （3）热击穿： PN结过热—不可逆 第三十二页，共57页 （4）温度特性 二极管的特性对温度很敏感, 温度升高, 正向特性曲线向左移, 反向特性曲线向下移。 其规律是：在室温附近, 在同一电流下, 温度每升高１℃, 正向压降减小２～２.５ｍV；温度每升高１０℃, 反向电流约增大 1 倍。 第三十三页，共57页 （1）最大整流电流IF：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。工作时应使平均工作电流小于ＩＦ