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* 电压为阻抗电压。 ※ 曲线变短:V-I特性曲线和正常曲线走向一致,但击穿电压比正常曲线低许多。这是极距变小所致,应停炉时恢复正常极距。 0 U0 U I * ※ 曲线出现拐点:V-I特性曲线在拐点前由于粉尘比电阻增大,使粉尘层压降增大,同时,空间电荷对电力线的屏蔽作用也增大,V-I特性曲线和原V-I特性曲线比,向右旋转,沿拐点下的曲线运行。当电压升至拐点处时粉尘层的压降达到粉尘层内气隙 的击穿电压(一般10~20kV/cm), 发生反电晕。反电晕发生后,电 场内既有负离子流,又有反电晕 0 U0 U I 拐点 * 的正离子流,正离子使原电场负空间电荷的影响大大降低,使电晕区的游离又加强,因此电晕电流增大。更严重的是,由于电晕外区是低场强区,又是大批正、负离子混合的地区,由于该区场强小,因此正、负离子相对运动的速度也小,而该区的正、负离子浓度却高,这些恰巧是正、负离子复合的条件,正、负离子复合会放出光子,从而导致放电过程由电子崩变为流注,流注形成后,电晕电流则是正、负离子的等离子流动,故电流大 * 大增加,而流注的形成将造成放电更快的发展,使电场击穿电压大大降低。因此,出现拐点以上的V-I特性曲线。 电场中的电荷由两部分组成,即气体离子和粉尘离子,由于粉尘离子的大小和质量都比气体离子大的多,所以气体离子的运动速度为粉尘离子的数百倍(气体离子的运动速度为60~100m/s,而粉尘离子的运动速度小于60cm/s),这样,电晕电流主要由气体离子形成。注意 * 虽然粉尘离子形成的电晕电流可以忽略,但是由于粉尘离子的空间电荷影响要比气体离子空间电荷大,它对电晕区场强、游离、电晕电流的削弱比气体离子的影响大,因此,在考虑空间电荷对电场的影响时,不能不考虑粉尘离子的影响。 由于电厂飞灰现场工况比电阻一般在1011Ω·cm以下,因此,用二次平均电压、平均电流值作的V-I特性曲线有时反映不出反电晕的发生。近年来,用峰值二次电 * 压、平均二次电压、谷值二次电压值共同来测量。由于谷值电压更能灵敏反映反电晕的发生(从电压波形看,反电晕发生后,谷值电压已降低到起晕电压以下,谷值V-I特性首先出现拐点),所以应该用此法来判断是否有反电晕发生。当V-I特性曲线出现拐点时,应降低电压,使电除尘器的运行电压在拐点以下。 * 七、电源选型和电气参数的影响: 电除尘器投运后,要想高效运行,必须靠调整电气参数来实现。因此电源的选型和调整电气参数就显得十分重要。 1、电场大小的影响: 电除尘器电场的电容,一般在20~40pf/m2(极距大的电容小)。单电场越大(单供电区的面积大),则电 * 容越大,而电场的阻抗 就越小,它的V-I曲线就越 陡。这是由于容性电流超前于电压,电流达到最大值时,电压却达不到最大值,形成低电压、大电流的V-I曲线,这对电除尘器的效率不利。因此,单电场不应设计得很大。美国依巴司科设计规范评标部分有一项是单供电区面积的大小,它要求,单供电区面积不大于2万平方英尺(1858m2)。 * 2、T/R(整流变)和电场工况的匹配: ※ 电压匹配: 经可控硅移项调压、升压、整流后的二次电压波形已不是正常的正弦波(电场负载是容性阻抗),它的峰值电压和电场的击穿相关,而电除尘器的效率却主要决定于二次电压的平均值(它是二次电压波形面积的积分,即二次表表压)。当T/R的二次电压选得高,而实际工况击穿电压低时,则可控硅的导通角小,一次电压 * 低,二次电压也低。由于η∝E2,所以除尘效率也低。应首选调幅的办法,调T/R初级绕组的抽头,降低二次输出电压,使其增大一次电压的导通角来提高二次电压。因此,在选型时,就应根据煤、灰参数,烟气的负电性气体大小来选T/R的二次输出电压和合适的极距。采用宽极距,若二次电压达不到常规极距的倍数,就相当于比集尘面积的减少,除尘效率肯定低。 * ※ 当T/R的输出电压选得高,而电场击穿电压又较低时,则当可控硅的导通角很小时,输出电压就达到电场击穿电压值,二次电压U平均也小,如下页所示左图。此时要想提高二次电压,应当用调幅的办法,降低变压器抽头,调整可控硅输出电压,使输出电压和电场击穿电压匹配,尽量使二次电压的峰值接近电场击穿电压,使导通角尽量加大,这样二次电压才能提高,如下页所示右图。 * 经验公式: mg/Nm3 式
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