集成电路工艺基础——物理气相淀积.pptVIP

Chap 5 物理气相淀积;蒸发 在真空系统中加热蒸发源，使原子获得足够的能量后便可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽原子，淀积在晶片上。 溅射 真空系统中充入惰性气体，在高压电场作用下，气体放电形成的离子被强电场加速，轰击靶材料，使靶原子逸出并被溅射到晶片上。;物理气相淀积;物理气相淀积;真空蒸发法制备薄膜设备;真空蒸发法制备薄膜设备;真空蒸法过程: 加热蒸发过程：对蒸气源进行加热，使其温度接近或达到蒸发材料的熔点，则固态源表面的原子容易逸出，转变为蒸气 气化原子或分???在蒸发源与基片之间的输运过程：原子或分子在真空环境中，由源飞向硅片，飞行过程中可能与真空室内的残余气体分子发生碰撞，碰撞次数取决于真空度以及源到硅片之间的距离。 被蒸发的原子或分子在衬底表面的淀积过程：飞到衬底表面的原子在表面上凝结、成核、生长和成膜过程。;汽化热与蒸汽压; 需要真空环境的原因： 被蒸发的原子或分子在真空中的输运应该是直线运动，以保证被蒸发的原子或分子有效的淀积在衬底上 真空度太低，残余气体中的氧和水汽，会使金属原子或分子在输运过程中发生氧化，同时也将使加热的衬底表面发生氧化。 系统中残余气体及所含的杂质原子或分子也会淀积在衬底上，从而严重的影响了淀积薄膜的质量。 ;真空度与平均自由程;多组分蒸发方法;蒸发源（1）;电子束蒸发源 原理：基于电子在电场作用下，获得动能轰击处于阳极的蒸发材料，使蒸发材料加热气化 优点： 比电阻加热源更高的能量密度 高纯度薄膜的淀积 热效率高;激光加热源 原理：利用高功率的连续或脉冲激光束作为能源对蒸发材料进行加热，称为激光束加热蒸发法。 优点： 功率密度高（高熔点材料） 高纯度薄膜的淀积（激光束光斑小） 可淀积不同熔点的化合物薄膜（高熔点材料） 真空室内装备简单，可获得高真空度 缺点：价格昂贵;高频感应加热蒸发源 定义：通过高频感应对装有蒸发材料的坩锅进行加热。 优点： 蒸发源的温度均匀、稳定，不易产生飞溅现象 蒸发速率大 温度控制精度高，操作比较简单 缺点：价格昂贵 ; 溅射： 溅射淀积就是用核能离子轰击靶材，使靶材原子从靶表面逸出，淀积在衬底材料上的过程。 被溅射材料称为靶材，作为阴极；而硅片作为阳极接地。 系统抽真空后充以惰性气体。电子在电场加速下，与惰气碰撞，产生惰气离子和更多电子。而惰气离子打在靶材上，溅射出靶原子则淀积在阳极衬底上形成薄膜。 ; 应用： 1 淀积薄膜 （淀积薄膜） 2 表面清洁 （干法刻蚀） 优点（溅射原子具有大的动能）： 在电极表面有更高的迁移能力 台阶覆盖好 薄膜与衬底之间的附着力增强。;气体辉光放电（1）;（1）无光放电区 极少量的原子受到高能宇宙射线的激发而电离，在外电场作用下因电离而产生的电子和离子做定向运动，形成电流。 （2）汤生放电区 电极间电压升高，电子运动速度加快，电子与中性气体分子之间的碰撞不再是低速时的弹性碰撞，而会使气体分子电离，产生电子和正离子（ 作用），同时正离子对阴极的碰撞也将产生二次电子（ 作用），从而使电子产生雪崩效应，致使电流快速增加。;（3）辉光放电 汤生放电之后，气体突然发生放电击穿现象，电路中电流大幅度增加，同时放电电压显著下降。正常辉光放电的电流密度仍然比较小，所以溅射不是选在这个区域。 （4）反常辉光放电 当整个阴极均成为有效放电区域之后，也就是整个阴极全部由辉光所覆盖后，只有增加功率才能增加阴极的电流密度，从而增大电流，也就是放电的电压和电流密度将同时增大，此时进入反常辉光放电。 （5）电弧放电;气体辉光放电（4）;气体辉光放电（5）;溅射特性：; 溅射率 与入射离子能量的关系 只有当入射离子能量超过一定能量时，才能发生溅射 随入射离子能量增加，溅射率先增加－后平缓－最后降低，发生离子注入;与入射离子种类的关系 入射离子原子量越大，溅射率越高 凡电子壳层填满的元素作为入射离子，则溅射率最大。（惰性气体被选为入射离子。; 溅射率 与被溅射物质的种类有关（参照图5.13） 一般来说随靶元素原子序数增加而增大 与入射离子入射角的关系 随入射角的增加，溅射率以1/cosθ规律增加。 当入射角接近80o时，溅射率迅速下降。;溅射方法;溅射方法;溅射方法;溅射方法;溅射方法