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2021-11-11 发布于重庆
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SVD1N70B/M/T 1A、700V N沟道增强型场效应管描述 2 SVD1N70B/M/T N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应 TM 晶体管采用 S-Rin 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先 1 进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 TO-220-3L 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 3 1. 栅极 2. 漏极 3. 源极该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源， DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PMW 马达驱动。 TO-251-3L 特点 1A ， 700V ，R DS(on) ( 典型值 )=11.3 @V GS =10V 低栅极电荷量低反向传输电容 TO-92-3L 开关速度快提升了 dv/dt 能力订货说明产品名称封装形式打印名称包装形式 SVD1N70M TO-251-3L SVD1N70M 料管 SVD1N70T TO-220-3L SVD1N70T 料管 SVD1N70B TO-92-3L 1N70B 袋装 SVD1N70BTR TO-92-3L 1N70B 编带极限参数 (除非特殊说明， T C=25 C) 参数范围参数名称符号单位 SVD1N70B SVD1N70M SVD1N70T 漏源电压 VDS 700 V 栅源电压 V GS ±30 V 漏极电流 ID 1.0 A 耗散功率（ TC =25 C ） 3 28 32 W P D - 大于 25 C 每摄氏度减少