9.2-刻蚀技术-湿法刻蚀.pdfVIP

9 刻蚀技术— 湿法刻蚀 1 9.2 湿法刻蚀 湿法腐蚀是化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化 学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜图形。 湿法刻蚀大概可分为三个步骤： ①反应物质扩散到被刻蚀薄膜的表面 ②反应物与被刻蚀薄膜反应 ③反应后的产物从刻蚀表面扩散到溶液中，并随溶液排出。 第四单元 光刻技术 2 湿法腐蚀特点 湿法腐蚀工艺简单，无需复杂设备 保真度差，腐蚀为各向同性，A=0 ，图形分辨率低 选择比高 均匀性好 清洁性较差 第四单元 光刻技术 3 湿法刻蚀参数 参数 说明 控制难度 浓度 溶液浓度，溶液各成份的比例 最难控