第六章pn结PPT课件.ppt

一、p-n结的形成和杂质分布 ;1．合金法 ;用扩散法制备的p-n结一般为缓变结，杂质浓度逐渐变化。 ;线性缓变结：在扩散结中，杂质分布可用 x=xj 处的切线近似表示。;但对高表面浓度的浅扩散结，用突变结近似;{ ;二、平衡p-n结的特点 ;平衡后：J扩=J漂 ;当二者接触后，电子由N?P，空穴由P?N,;VD－－ 平衡pn结的空间电荷区两端间的电势差， 称为pn结的接触电势差或内建电势差;0;平衡pn结中电势能;假设：P区：Ec=Ecp Ev=Evp no=npo po=ppo ;;T 一定，NA?, ND ?, 则 VD ? Eg ?, ni?, 则VD ?;pn结平衡时特点;流过 pn 结的电子电流密度（漂移＋扩散） (推导过程自学）;;4. 平衡时pn结载流子分布;x 处的空穴浓度 ;设V(xn)=VD, 则;势垒区又叫耗尽层 其中载流子浓度很小 ? 空间电荷密度等于电离杂质浓度;三、非平衡p-n结 ; P 电子扩散区 结区 空穴扩散区 N;6. 理想pn结模型;2．正偏时载流子的运动和电流成分 ;J = Jp扩（n 区边界）+ Jn扩（ p 区边界） ;对于p＋n结：;例如，室温：KT=0.026eV ;4．反偏时的p-n结(P－,N＋) ;?势垒区变宽 ?漂移流大于扩散流 ?由漂移作用形成的反向电流很小 （p区电子和n区空穴少）;|V|? ;“－”表示 J 与正向时相反 反向电流密度饱和，与外加电压无关;5. 温度对pn结电流密度的影响;对正向电流：;6. 理想pn结模型;7. pn结电流电压特性偏离理想方程的因素;J/Js;势垒区的产生电流;以 p+n 结例：;势垒区的复合电流;?正向电流密度的经验公式;扩散电流与复合电流之比与 V 有关;J/Js;大注入情况;四、pn结电容;正偏 V ?, 空间电荷?，部分电子和空穴从势垒区中取出; 势垒区的空间电荷数量随外加V而变化， 和一个电容器的充放电作用相似，这种pn结 的电容效应称为势垒电容。;突变结的势垒电容（反向偏压）;突变结的势垒电容（正向偏压）;线性缓变结的势垒电容（反向偏压）;突变结和线性缓变结的 CT 与 V 有关;2. 扩散电容;低频、正向偏压时，总的微分扩散电容;对p+n结;五、p-n结击穿特性 ;击穿时，载流子数目增加，电流增大;1．雪崩击穿 ; Eg小、突变结、掺杂高的缓变结是导致隧道击穿的因素。 ;六、隧道结 ;1．隧道结的能带结构 ;2．隧道结的伏安特性;Ecp;Evp;Evp;(5) 当V=VV时，Ecn=Evp;(7) 加反向电压，势垒加高;?隧道结利用多子隧道效应工作 ?隧道二极管的噪声低 ?隧道二极管的工作温度范围大 ?隧道二极管可在极高频率下工作